[发明专利]一种透明纳米银导电膜及其制备方法

权利要求书

1.一种透明纳米银导电膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)涂布：

取基底，清洗，去除有机残留和表面颗粒，100～120℃温度下干燥20～40min；

在基底的上下表面涂覆负性光刻胶，置于50～100℃温度下烘烤3～20min；

(2)曝光：对光刻胶层进行紫外光照射；

(3)显影：置于显影液中，形成图案化的网格凹槽，清洗，干燥，置于100～130℃温度下烘烤10～30min；

(4)填银：采用压印的方式在网格凹槽中填充银浆；

(5)烧结：取上一步骤制得的基底进行烧结，形成导电网格，制得导电膜；

所述银浆的制备工艺包括以下步骤：

(1)制备纳米银粒子：

取硝酸银和碳酸钠反应，生成碳酸银，调节体系pH为8～9，搅拌，加热，加入甲醛还原，清洗，加入分散剂，低温烘干，球磨96～120h，清洗，干燥，搅拌，加入臭氧，保持相对湿度为10～40％，10～25℃温度下反应60～80min，制得银粉；

取六水合氯化铁、十二烷基苯磺酸钠，加入去离子水，在氮气氛围中，搅拌，加入吡咯，反应6～8h，加入银粉，继续反应2～6h，洗涤，过滤，真空干燥，制得纳米银粒子；

(2)制备银浆：

取异佛尔酮二异氰酸酯，加入N,N-二甲基甲酰胺，在氮气氛围中，搅拌，升温至78～82℃，加入四辛基锡，缓慢加入棕榈醇，108～112℃反应4～5h，加入聚四氢呋喃二元醇，加入四辛基锡，108～112℃反应4～5h，清洗，干燥，加入环氧树脂，与纳米银粒子、溶剂、助剂共混，制得银浆。

2.根据权利要求1所述的一种透明纳米银导电膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中涂布的为微型凹版涂布或精密狭缝式涂布。

3.根据权利要求2所述的一种透明纳米银导电膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中曝光工艺采用高压汞灯或氙闪光灯，曝光能量30～180mJ/cm²。

4.根据权利要求3所述的一种透明纳米银导电膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中显影液温度为23～30℃，浸渍时间为1～5min，所述干燥工艺采用氮气或纯净的压缩空气通风干燥。

5.根据权利要求4所述的一种透明纳米银导电膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中银浆的粘度500～1000cps，所述银浆中含有纳米银粒子，所述纳米银粒子含量为60～75wt％，所述纳米银粒子的平均粒径为20～100nm。

6.根据权利要求2所述的一种透明纳米银导电膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(5)中烧结工艺中的烧结温度为100～130℃，烧结时间为20～40min。

7.根据权利要求5所述的一种透明纳米银导电膜的制备方法，其特征在于：所述纳米银粒子为聚吡咯掺杂纳米银粒子，所述纳米银粒子中聚吡咯占比12～16wt％。

8.一种如权利要求1-7之一所述的制备方法获得的透明纳米银导电膜。