[发明专利]一种透明纳米银导电膜及其制备方法

说明书

本发明公开了一种透明纳米银导电膜及其制备方法，包括以下步骤：(1)涂布：取基底，在其上下两表面涂布负性光刻胶，形成光刻胶层；(2)曝光：对光刻胶层进行紫外光照射；(3)显影：置于显影液中，形成图案化的网格凹槽；(4)填银：在网格凹槽中填充银浆；(5)烧结：对银浆进行烧结，形成导电网格，制得导电膜。本发明通过涂布在基底上下两表面的负性光刻胶，经过烘烤、曝光、显影形成网格凹槽，填充银浆，烧结形成导电网格，其中曝光时掩膜版不与所涂布的负性光刻胶接触，避免掩膜版损伤，防止光刻胶出现脱胶、脱模，所得导电网格规整、精准。

技术领域

本发明涉及导电膜技术领域，具体为一种透明纳米银导电膜及其制备方法。

背景技术

透明导电膜是一种既能导电又在可见光范围内具有高透光率的一种薄膜，广泛应用于液晶显示触控面板和光伏器件等领域，具有广阔的市场空间。由于传统ITO薄膜不能用于可弯曲设备，同时又存在导电性差及透光率低等本质问题，众厂商纷纷寻求ITO的替代品，目前在研发的包括纳米银线金属网格碳纳米管以及石墨烯等材料。从市场反应上来看，石墨烯处于研发阶段，距离量产还有很远的距离。碳纳米管薄膜产品导电性还不能达到ITO薄膜的水平。金属网格工业化量产技术尚未完善。纳米银导电膜发展快速且较为成熟，市场占有率逐年提升。

目前性能稳定的纳米银导电膜共有两种，根据制备工艺不同，分别为网栅银膜纳米银线薄膜。其中网栅银膜分为卤化银曝光工艺激光刻蚀工艺和纳米压印工艺。卤化银曝光工艺出现最早，目前市场占有量约2/5，而激光刻蚀工艺和纳米压印工艺出现较晚，激光刻蚀工艺与卤化银曝光工艺相比，膜层附着力强，但成本及效率未有改善。纳米压印工艺区别于卤化银曝光工艺和激光刻蚀工艺，是加法工艺，成本较低，且工艺成熟，发展迅猛。

纳米压印工艺全流程是首先将设计好的网栅图形制作到镍模板上，再在基底的表面涂布光刻胶，当镍模板压向压印胶并停止后，用UV光对其进行曝光照射，使光刻胶固化成型，然后移去模板，在压印胶上形成图案化的网格凹槽，然后在凹槽图案中填充纳米导电材料，最后再对纳米导电材料进行烧结。然而在接触过程中，光刻胶与底材结合力小会产生脱胶现象，光刻胶和模板结合力大会难以脱模。这些都会造成凹槽缺陷和不稳定，影响后续填银，导致产品良率低。因此，我们提出一种透明纳米银导电膜及其制备方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种透明纳米银导电膜及其制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：一种透明纳米银导电膜的制备方法，包括以下步骤：

(1)涂布：取基底，在其上下两表面涂布负性光刻胶，形成光刻胶层；

(2)曝光：对光刻胶层进行紫外光照射；

(3)显影：置于显影液中，形成图案化的网格凹槽；

(4)填银：在网格凹槽中填充银浆；

(5)烧结：对银浆进行烧结，形成导电网格，制得导电膜。

进一步的，包括以下步骤：

(1)涂布：

取基底，清洗，去除有机残留和表面颗粒，100～120℃温度下干燥20～40min；

在基底的上下表面涂覆负性光刻胶，置于50～100℃温度下烘烤3～20min；

在涂布负性光刻胶前进行清洁，能够去除基底上的有机残留和表面颗粒，保持基底的洁净，确保光刻胶的涂布效果；在涂布负性光刻胶后进行预烘烤，较高的温度使得基底表面残留的光刻胶中的溶剂和挥发性物质通过蒸发而移除，能够实现光刻胶和基底间的最大粘附性。

(2)曝光：