[发明专利]一种从掺锗废旧光纤中回收和利用锗的方法

权利要求书

1.一种从掺锗废旧光纤中回收和利用锗的方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将废旧掺锗光纤依次进行破碎和球磨；

（2）将球磨后光纤在空气氛围下、600-800℃的温度下马弗炉中焙烧2-6h；

（3）将焙烧后光纤用摩尔浓度为0.025mol/L-0.3mol/L的四硼酸钠溶液，在60-200℃的温度下浸出后过滤；

（4）将浸出后过滤液中的硅离子浓度稀释至0.5-2mol/L，然后加入硅去除试剂反应，再过滤除杂质硅元素；

（5）以铂片为阳极，液态金属为阴极，采用电沉积法从除硅后的浸出过滤液中制备多晶锗薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）中，球磨转速为350-550r/min，球磨时间为2-4h，球磨后废旧光纤粒径为0.075-0.15mm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（3）中，焙烧后光纤和四硼酸钠溶液的固液质量体积比为1:100-1:500g/mL，浸出时间为2-6h。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（4）中，硅去除试剂选自氯化钠、氯化钾或氯化钙中的一种或几种，硅去除试剂的质量为浸出液重量的5-15%；调节pH为8-9，静置反应2-5h后过滤。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（5）中，液态金属为镓、铟镓或镓铋合金。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（5）中，采用恒电位法沉积，电沉积温度为40-80℃，沉积电压为1.5-1.8V，pH为1-12，沉积时间为1-4h。