[发明专利]一种半导体封装结构以及半导体封装方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：N个垂直堆叠的半导体结构和N个相互绝缘的接地端，其中，所述N的取值包括大于或等于1的整数；

所述半导体结构包括第一晶圆、待屏蔽元件和电磁屏蔽结构，所述电磁屏蔽结构包括第一电磁屏蔽结构；所述待屏蔽元件位于所述第一晶圆的第一表面；所述第一电磁屏蔽结构位于所述第一晶圆的第一表面，所述第一电磁屏蔽结构在所述第一晶圆的投影覆盖所述待屏蔽元件在所述第一晶圆的投影；

所述第一电磁屏蔽结构与所述接地端电连接，不同所述第一电磁屏蔽结构与不同的所述接地端电连接；

所述第一晶圆的第一表面设置有第一电极和第二电极，所述第二电极位于所述第一电极的外侧，且与所述第一电极绝缘设置，所述第一电极与所述待屏蔽元件的电极信号输出端电连接；

所述第一电磁屏蔽结构位于所述第二电极背离所述第一晶圆一侧的表面，且与所述第二电极电连接；

所述第二电极与所述接地端电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，第2k-1个所述半导体结构的第一晶圆的第一表面和第2k个所述半导体结构的第一晶圆的第一表面相对设置；所述k的取值大于或等于1，且小于或等于N/2，所述N包括大于或等于2的偶数；

所述半导体封装结构还包括N-1个绝缘支撑层；

所述绝缘支撑层位于第2k-1个所述半导体结构的第一电磁屏蔽结构和第2k个所述半导体结构的第一电磁屏蔽结构之间。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述N包括大于或等于2的整数，第m+1个所述半导体结构的第一晶圆与所述第一表面相对的第二表面和第m个所述半导体结构的第一晶圆的第一表面相对设置；所述m的取值大于或等于1，且小于或等于N-1；

所述半导体封装结构还包括N个绝缘支撑层，所述绝缘支撑层位于所述第一电磁屏蔽结构背离所述第一晶圆的表面。

4.根据权利要求1-3任一所述的半导体封装结构，其特征在于，所述待屏蔽元件包括电阻、电感、电容以及至少一个谐振器单元中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述待屏蔽元件包括至少一个谐振器单元时，所述第一晶圆的第一表面设置有至少一个空气腔体，所述谐振器单元悬空在所述空气腔体上，所述谐振器单元包括叠层设置的第一电极层、压电层和第二电极层；

所述谐振器单元的数量大于或等于2时，任意两个所述谐振器单元之间串联连接或者并联连接。

6.根据权利要求1-3任一所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一晶圆设置有第一导电通孔结构和第二导电通孔结构；所述第一电极在所述第一晶圆的投影覆盖部分或全部所述第一导电通孔结构，所述第一电极与所述第一导电通孔结构电连接；

所述第二电极在所述第一晶圆的投影覆盖部分或全部所述第二导电通孔结构，所述第二电极与所述第二导电通孔结构电连接；

所述第二导电通孔结构与所述接地端电连接。

7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一电磁屏蔽结构包括第一电磁屏蔽顶部和第一电磁屏蔽侧墙；

所述第一电磁屏蔽顶部和所述待屏蔽元件间隔第一预设距离，且所述第一电磁屏蔽顶部在所述第一晶圆的投影覆盖所述待屏蔽元件，所述第一电磁屏蔽侧墙环绕所述待屏蔽元件设置，且用于支撑所述第一电磁屏蔽顶部，所述第一电磁屏蔽侧墙与所述第一电极和/或所述待屏蔽元件间隔第二预设距离，所述第一电磁屏蔽侧墙位于所述第二电极背离所述第一晶圆一侧的表面。

8.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一电磁屏蔽顶部包括电磁屏蔽材料层。

9.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一电磁屏蔽顶部包括设置有第一预设镂空图案的电磁屏蔽材料层。