[发明专利]体内击穿玻钝二极管及制造方法

权利要求书

1.一种体内击穿玻钝二极管，其特征在于：包括管芯(1)、电极引线(6)，所述电极引线(6)设于管芯(1)的两端，管芯(1)与电极引线(6)的外周包覆有钝化玻璃(7)，管芯(1)两端的电极引线(6)分别伸出钝化玻璃(7)；所述管芯(1)的正面中部为P+突变结(2)，围绕P+突变结(2)设有一圈P区缓变结(3)，P+突变结(2)的端面设有铝片(4)，管芯(1)的背面为N+区扩散(5)。

2.如权利要求1所述的体内击穿玻钝二极管，其特征在于：所述N+区扩散(5)端部均匀地设有一层金属化铝(8)。

3.如权利要求1所述的体内击穿玻钝二极管，其特征在于：所述P+突变结(2)为铝片(4)在P区缓变面上烧焊扩散形成。

4.如权利要求1所述的体内击穿玻钝二极管，其特征在于：所述电极引线(6)包括铜引线(9)、钼柱(11)，钼柱(11)一端与管芯(1)连接，另一端与铜引线(9)连接，钼柱(11)侧面被包覆于钝化玻璃(7)内，铜引线(9)伸出钝化玻璃(7)。

5.如权利要求4所述的体内击穿玻钝二极管，其特征在于：所述铜引线(9)与钼柱(11)之间通过银铜焊片(10)角焊缝焊接。

6.如权利要求4所述的体内击穿玻钝二极管，其特征在于：位于管芯(1)正面的钼柱(11)与铝片(4)连接，铝片(4)周围为钝化玻璃(7)。

7.如权利要求1～6中任一项所述的体内击穿玻钝二极管的制造方法，其特征在于：包括如下步骤，

步骤一、单晶片，选择电阻率为0.005Ω·cm～500Ω·cm的N型单晶硅，进行磨片处理；

步骤二、磷硼扩散，得到N型扩散的硅片，磷面结深为30μm，方块电阻≤3Ω/□，硼面结深为25μm，方块电阻≤5Ω/□；

步骤三、喷砂，用压缩空气携带金刚砂去除硼扩散面形成的硼硅玻璃层；

步骤四、蒸铝与合金，在保留的磷扩散面蒸铝，细磨面不蒸铝，铝层厚度为6～16μm，蒸铝后在高温下进行合金处理；

步骤五、裂片，裂片后用HF：HNO3＝1：5体积比的腐蚀剂腐蚀80～180S，腐蚀后用大量冷去离子水冲洗，酒精脱水烘干；

步骤六、装模，在管芯(1)的P面中部装配铝片(4)，然后将电极引线(6)装配在管芯(1)两端，装配后在高温下进行烧结处理；

步骤七、放入腐蚀剂中进行台面腐蚀，腐蚀后用热去离子水冲洗，并用热去离子水煮沸5次，用热、冷去离子水交叉冲洗半小时以上，然后放入钝化液中钝化处理；

步骤八、将产品包覆于玻璃粉中，然后高温成型，在20～70min升温到650℃，保持1～8min，然后以速率≤3℃/min降温，整形后得到产品。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于：所述步骤六的铝片4成分为硅:铝＝3:97，厚度为50～100μm。

9.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于：所述步骤六的烧结工艺为，真空度≥0.0034Pa，恒温温度为660～850℃，恒温时间为10min，升温速率为5～25℃/min，降温速率≤3℃/min，降温至100℃以下取出产品。

10.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于：所述步骤七的腐蚀剂为2～12％KOH溶液，腐蚀温度：80～100℃，腐蚀时间2～25min。