[发明专利]复合结构物以及具备复合结构物的半导体制造装置在审

专利信息
申请号: 202110485046.7 申请日: 2021-04-30
公开(公告)号: CN113582726A 公开(公告)日: 2021-11-02
发明(设计)人: 芹泽宏明;滝沢亮人 申请(专利权)人: TOTO株式会社
主分类号: C04B41/87 分类号: C04B41/87;C23C14/08;C23C16/40
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 李雪春;阎文君
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 复合 结构 以及 具备 半导体 制造 装置
【权利要求书】:

1.一种复合结构物,包含基材和设置在所述基材上且具有表面的结构物,其特征为,

所述结构物作为主成分而含有Y3Al5O12,而且其压痕硬度大于8.5GPa。

2.根据权利要求1所述的复合结构物,其特征为,所述压痕硬度为10GPa以上。

3.根据权利要求1所述的复合结构物,其特征为,所述压痕硬度为13GPa以上。

4.根据权利要求1所述的复合结构物,其特征为,所述压痕硬度为20GPa以下。

5.根据权利要求1~4中任意一项所述的复合结构物,其特征为,所述结构物的平均微晶尺寸小于50nm。

6.根据权利要求1~5中任意一项所述的复合结构物,其特征为,在标准等离子体试验1之后,满足在离所述结构物的表面30nm的深度处的氟原子浓度F130nm小于3%或在离所述表面20nm的深度处的氟原子浓度F120nm小于4%的至少任意一个。

7.根据权利要求6所述的复合结构物,其特征为,所述氟原子浓度F130nm或所述氟原子浓度F120nm的至少任意一个为2%以下。

8.根据权利要求1~5中任意一项所述的复合结构物,其特征为,在标准等离子体试验2之后,满足在离所述结构物的表面30nm深度处的氟原子浓度F230nm小于2%或在离所述表面15nm深度处的氟原子浓度F215nm小于3%的至少任意一个。

9.根据权利要求8所述的复合结构物,其特征为,满足所述氟原子浓度F230nm为1%以下或所述氟原子浓度F215nm为2%以下的至少任意一个。

10.根据权利要求1~5中任意一项所述的复合结构物,其特征为,在标准等离子体试验3之后,满足在离所述结构物的表面20nm深度处的氟原子浓度F320nm小于8%或在离所述表面10nm深度处的氟原子浓度F310nm小于9%的至少任意一个。

11.根据权利要求10所述的复合结构物,其特征为,满足所述氟原子浓度F320nm为7%以下或所述氟原子浓度F310nm为8%以下的至少任意一个。

12.根据权利要求10所述的复合结构物,其特征为,满足所述氟原子浓度F320nm为1%以下或所述氟原子浓度F310nm为2%以下的至少任意一个。

13.根据权利要求1~12中任意一项所述的复合结构物,其特征为,在要求抗粒子性的环境中被使用。

14.根据权利要求13所述的复合结构物,其特征为,其为半导体制造装置用构件。

15.一种半导体制造装置,其特征为,具备权利要求1~12中任意一项所述的复合结构物。

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