[发明专利]复合结构物以及具备复合结构物的半导体制造装置在审
申请号: | 202110485046.7 | 申请日: | 2021-04-30 |
公开(公告)号: | CN113582726A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 芹泽宏明;滝沢亮人 | 申请(专利权)人: | TOTO株式会社 |
主分类号: | C04B41/87 | 分类号: | C04B41/87;C23C14/08;C23C16/40 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 李雪春;阎文君 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合 结构 以及 具备 半导体 制造 装置 | ||
1.一种复合结构物,包含基材和设置在所述基材上且具有表面的结构物,其特征为,
所述结构物作为主成分而含有Y3Al5O12,而且其压痕硬度大于8.5GPa。
2.根据权利要求1所述的复合结构物,其特征为,所述压痕硬度为10GPa以上。
3.根据权利要求1所述的复合结构物,其特征为,所述压痕硬度为13GPa以上。
4.根据权利要求1所述的复合结构物,其特征为,所述压痕硬度为20GPa以下。
5.根据权利要求1~4中任意一项所述的复合结构物,其特征为,所述结构物的平均微晶尺寸小于50nm。
6.根据权利要求1~5中任意一项所述的复合结构物,其特征为,在标准等离子体试验1之后,满足在离所述结构物的表面30nm的深度处的氟原子浓度F130nm小于3%或在离所述表面20nm的深度处的氟原子浓度F120nm小于4%的至少任意一个。
7.根据权利要求6所述的复合结构物,其特征为,所述氟原子浓度F130nm或所述氟原子浓度F120nm的至少任意一个为2%以下。
8.根据权利要求1~5中任意一项所述的复合结构物,其特征为,在标准等离子体试验2之后,满足在离所述结构物的表面30nm深度处的氟原子浓度F230nm小于2%或在离所述表面15nm深度处的氟原子浓度F215nm小于3%的至少任意一个。
9.根据权利要求8所述的复合结构物,其特征为,满足所述氟原子浓度F230nm为1%以下或所述氟原子浓度F215nm为2%以下的至少任意一个。
10.根据权利要求1~5中任意一项所述的复合结构物,其特征为,在标准等离子体试验3之后,满足在离所述结构物的表面20nm深度处的氟原子浓度F320nm小于8%或在离所述表面10nm深度处的氟原子浓度F310nm小于9%的至少任意一个。
11.根据权利要求10所述的复合结构物,其特征为,满足所述氟原子浓度F320nm为7%以下或所述氟原子浓度F310nm为8%以下的至少任意一个。
12.根据权利要求10所述的复合结构物,其特征为,满足所述氟原子浓度F320nm为1%以下或所述氟原子浓度F310nm为2%以下的至少任意一个。
13.根据权利要求1~12中任意一项所述的复合结构物,其特征为,在要求抗粒子性的环境中被使用。
14.根据权利要求13所述的复合结构物,其特征为,其为半导体制造装置用构件。
15.一种半导体制造装置,其特征为,具备权利要求1~12中任意一项所述的复合结构物。
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