[发明专利]复合结构物以及具备复合结构物的半导体制造装置

说明书

本发明的目的在于提供一种作为可提高抗粒子性(low‑particle generation)的半导体制造装置用构件而加以使用的复合结构物以及具备其的半导体制造装置。具体而言，是包含基材和设置在所述基材上且具有表面的结构物的复合结构物，所述结构物作为主成分而含有Y₃Al₅O₁₂，而且其压痕硬度大于8.5GPa的复合结构物的抗粒子性比较出色，作为半导体制造装置用构件而优选被使用。

技术领域

本发明涉及一种作为半导体制造装置用构件而优选被使用的抗粒子性(low-particle generation)出色的复合结构物以及具备其的半导体制造装置。

背景技术

已周知在基材表面上涂覆陶瓷而对基材赋予功能的技术。例如，作为半导体制造装置等在等离子体照射环境下被使用的半导体制造装置用构件，使用在其表面上形成有抗等离子性较高的被膜的构件。被膜中例如使用氧化铝(Al₂O₃)、氧化钇(Y₂O₃)等氧化物类陶瓷或氟化钇(YF₃)、钇氟氧化物(YOF)等氟化物类陶瓷。

而且，提出了作为氧化物类陶瓷而使用保护层的技术，该保护层使用氧化铒(Er₂O₃)或Er₃Al₅O₁₂、氧化钆(Gd₂O₃)或Gd₃Al₅O₁₂、钇铝石榴石(YAG：Y₃Al₅O₁₂)或Y₄Al₂O₉等(专利文献1)。伴随半导体的微细化，对半导体制造装置内的各种构件要求更高水准的抗粒子性。

专利文献

专利文献1：日本国特表2016-528380号公报

发明内容

这次，本发明者发现了将钇及铝的氧化物Y₃Al₅O₁₂(以下，简记为“YAG”)作为主成分而含有的结构物的硬度与伴随等离子体腐蚀的颗粒污染的指标即抗粒子性之间存在相关关系，成功制作出了抗粒子性出色的结构物。

从而，本发明所要解决的技术问题是提供一种抗粒子性(low-particlegeneration)出色的复合结构物。而且，其目的在于提供一种该复合结构物的作为半导体制造装置用构件的用途以及利用其的半导体制造装置。

而且，本发明所涉及的复合结构物如下，包含基材和设置在所述基材上且具有表面的结构物，其特征为，所述结构物作为主成分而含有Y₃Al₅O₁₂，而且其压痕硬度大于8.5GPa。

另外，本发明所涉及的复合结构物在要求抗粒子性的环境中被使用。

而且，本发明所涉及的半导体制造装置具备上述的本发明所涉及的复合结构物。

附图说明

图1是具有本发明所涉及的结构物的构件的模式剖视图。

图2是表示标准等离子体试验1之后的离结构物表面的深度与氟原子浓度的关系的曲线图。

图3是表示标准等离子体试验2之后的离结构物表面的深度与氟原子浓度的关系的曲线图。

图4是表示标准等离子体试验3之后的离结构物表面的深度与氟原子浓度的关系的曲线。

图5是结构物的表面的标准等离子体试验1～3之后的SEM图像。

符号说明

10-复合结构物；15-基材；20-结构物；20a-结构物的表面。

具体实施方式