[发明专利]显示背板、制作方法以及显示装置有效
申请号: | 202110489331.6 | 申请日: | 2021-04-29 |
公开(公告)号: | CN113284910B | 公开(公告)日: | 2023-09-19 |
发明(设计)人: | 方金钢;王庆贺;丁录科;胡迎宾;张扬;成军 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H10K59/12 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 安凯 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 背板 制作方法 以及 显示装置 | ||
本申请实施例提供一种显示背板、制作方法以及显示装置,显示背板包括衬底、薄膜晶体管和层间介质层,在栅极远离衬底的一侧,层间介质层包括层叠设置的第一介质层和第二介质层,第二介质层相对于第一介质层远离衬底;第二介质层的致密性低于第一介质层;层间介质层上设置有过孔,过孔在第二介质层的部分为湿刻结构,在第一介质层的部分为干刻结构。本实施例中,将层间介质层制作成不同致密性的叠层结构,低致密性的介质层位于外侧,采用湿刻制作过孔,高致密性的介质层位于内侧,在外侧湿刻完成后通过干刻继续制作过孔,从而得到具有湿刻结构和干刻结构的过孔,既可以避免光刻胶变性,有可以保证高均一性,从而提高显示背板的产品良率。
技术领域
本申请实施例涉及显示装置技术领域,尤其涉及一种显示背板、制作方法以及显示装置。
背景技术
大尺寸、高分辨显示装置的显示背板通常采用顶栅型薄膜晶体管,相较于底栅型薄膜晶体管,顶栅型薄膜晶体管具有较高的开态电流(Ion)、更高的开口率、以及更好的稳定性。
顶栅型薄膜晶体管包括有源层、栅极绝缘层、栅极、源极、漏极以及层间介质层,源极和漏极通过层间介质层上的过孔与有源层相连。在薄膜晶体管中半导体材料为金属氧化物时,例如IGZO,为实现较好的氧化物特性稳定性,层间介质层使用纯氧化硅。
当氧化硅制成的层间介质层厚度较大时,通过干刻的方式在层间介质层上形成过孔需要有较大过刻量,较大过刻量会使干刻时间较长,长时间干刻易造成光刻胶变性而剥离不干净,变性的光刻胶堆积在过孔中易造成金属搭接不良形成暗点;然而采用湿刻的方式在层间介质层上形成过孔时,均一性又较差,且SiO2刻蚀液会腐蚀IGZO层造成过孔接触不良,因此采用湿刻加干刻两部刻蚀的方法。
发明内容
有鉴于此,本申请实施例的目的在于提出一种显示背板、制作方法以及显示装置。
第一方面,本申请实施例提供了一种显示背板,包括衬底和设置于所述衬底的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括有源层、栅极、源极、漏极和层间介质层,所述栅极设置于所述有源层远离所述衬底的一侧,所述层间介质层分隔所述栅极、所述源极和所述漏极;
在所述栅极远离所述衬底的一侧,所述层间介质层包括层叠设置的第一介质层和第二介质层,所述第二介质层相对于所述第一介质层远离所述衬底;所述第二介质层的致密性低于所述第一介质层;所述层间介质层上设置有过孔,所述过孔在所述第二介质层的部分为湿刻结构,在所述第一介质层的部分为干刻结构。在上述显示背板中,将层间介质层制作成不同致密性的叠层结构,低致密性的介质层位于外侧,采用湿刻制作过孔,高致密性的介质层位于内侧,在外侧湿刻完成后通过干刻继续制作过孔,从而得到具有湿刻结构和干刻结构的过孔,如此设计,既可以使用湿刻,避免光刻胶变性,减轻光刻胶干刻变性造成的金属搭接不良,也可以利用干刻的高均一性,从而提高显示背板的产品良率。
在一种可能的实施方式中,所述栅极采用抗氧化金属制作。
在一种可能的实施方式中,所述栅极采用易氧化金属制作,所述层间介质层还包括第三介质层,所述第三介质层相对于所述第一介质成靠近所述衬底,且所述第三介质层的致密性低于所述第一介质层;所述过孔包括在所述第三介质层的干刻结构。
在一种可能的实施方式中,所述第三介质层和所述第一介质层的厚度均小于所述第二介质层的厚度。在一种可能的实施方式中,所述有源层采用金属氧化物半导体材料制作,所述层间介质层采用氧化硅制作。
在一种可能的实施方式中,所述衬底设置有金属遮光层和缓冲层,所述缓冲层相对于所述金属遮光层远离所述衬底,且相对于所述有源层靠近所述衬底;
所述缓冲层上设置有干刻成型的第一过孔,所述第一过孔中设置有覆盖所述金属遮光层的金属保护层,所述层间介质层设置有与所述第一过孔连通的第二过孔,所述源极通过所述第二过孔和所述第一过孔连接至所述金属保护层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的