[发明专利]互补金属氧化物半导体图像传感器以及制备方法

权利要求书

1.一种互补金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于，包括：

第一衬底，所述第一衬底的第一表面设置有感光区和像素电路区；

N个像素单元，N个所述像素单元位于所述第一衬底的第一表面，所述N的取值包括大于或等于1的整数；所述像素单元包括光电二极管和像素电路，所述光电二极管位于所述感光区，所述像素电路位于所述像素电路区，所述像素电路包括第一栅极结构和悬浮漏极，所述光电二极管与所述悬浮漏极电连接；

导电互连单元，所述导电互连单元覆盖所述第一衬底的第一表面，所述导电互连单元用于将所述像素单元的电信号引出；

第二衬底，所述第二衬底位于所述导电互连单元远离所述第一衬底一侧的表面；

光反射电容单元，所述光反射电容单元位于所述第二衬底的表面，所述光反射电容单元通过所述导电互连单元与所述悬浮漏极电连接，所述光反射电容单元用于将从所述第一衬底的第二表面入射的光反射至所述感光区，且用于调节所述悬浮漏极的电容值。

2.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于，所述光反射电容单元在所述第一衬底的投影覆盖所述感光区在所述第一衬底的投影。

3.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于，所述像素电路还包括第二栅极结构。

4.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于，所述光反射电容单元包括第一多晶硅电极、介质层和第二多晶硅电极组成的叠层结构；

或者，所述光反射电容单元包括第一金属电极、介质层和第二金属电极组成的叠层结构。

5.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于，还包括滤光片和微透镜阵列，所述滤光片位于所述第一衬底的第二表面，所述微透镜阵列位于所述滤光片背离所述第一衬底一侧的表面。

6.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于，还包括至少两个绝缘隔离沟槽结构，所述绝缘隔离沟槽结构用于隔离所述像素单元。

7.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于，还包括导电键合层，所述导电键合层位于所述导电互连单元和所述光反射电容单元之间。

8.一种互补金属氧化物半导体图像传感器的制备方法，其特征在于，包括：

提供第一衬底，其中，所述第一衬底的第一表面设置有感光区和像素电路区；

在所述第一衬底的第一表面形成N个像素单元，所述N的取值包括大于或等于1的整数；其中，所述像素单元包括光电二极管和像素电路，所述光电二极管位于所述感光区，所述像素电路位于所述像素电路区，所述像素电路包括第一栅极结构和悬浮漏极，所述光电二极管与所述悬浮漏极电连接；

在所述第一衬底的第一表面形成导电互连单元，所述导电互连单元覆盖所述第一衬底的第一表面，所述导电互连单元用于将所述像素单元的电信号引出；

提供第二衬底；

在所述第二衬底的表面形成光反射电容单元；

将所述第二衬底放置在所述导电互连单元远离所述第一衬底一侧的表面，其中，所述光反射电容单元通过所述导电互连单元与所述悬浮漏极电连接，所述光反射电容单元用于将从所述第一衬底的第二表面入射的光反射至所述感光区，且用于调节所述悬浮漏极的电容值。

9.根据权利要求7所述的互补金属氧化物半导体图像传感器的制备方法，在所述第二衬底的表面形成光反射电容单元包括：

在所述第二衬底的表面形成在所述第一衬底的投影覆盖所述感光区在所述第一衬底的投影的光反射电容单元。

10.根据权利要求7所述的互补金属氧化物半导体图像传感器的制备方法，其特征在于，在所述第一衬底的第一表面形成N个像素单元包括：

在所述感光区形成光电二极管、包括第一栅极结构和悬浮漏极的像素电路之后还包括形成第二栅极结构。