[发明专利]互补金属氧化物半导体图像传感器以及制备方法

说明书

本发明公开了一种互补金属氧化物半导体图像传感器以及制备方法。该互补金属氧化物半导体图像传感器包括：第一衬底，第一衬底的第一表面设置有感光区和像素电路区；N个像素单元；像素单元包括光电二极管和像素电路，像素电路位于像素电路区，包括第一栅极结构和悬浮漏极，光电二极管与悬浮漏极电连接；导电互连单元覆盖第一衬底的第一表面，用于将像素单元的电信号引出；第二衬底位于导电互连单元远离第一衬底一侧的表面；光反射电容单元位于第二衬底的表面，与悬浮漏极电连接。本发明实施例提供的技术方案，提高了图像传感器的获取的图像的真实度。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种互补金属氧化物半导体图像传感器以及制备方法。

背景技术

随着互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，CMOS)图像传感器技术的飞速发展，CMOS图像传感器的在应用已经从手机双摄、3D相机、无人机、生物识别扩展到汽车、安防、医疗、物联网等领域。

目前CMOS图像传感器从前照式CMOS图像传感器发展到背照式CMOS图像传感器，背照式CMOS图像传感器因其导电互连单元位于感光区域的非入光面，从而增加了CMOS图像传感器的感光面积，并且提升了弱光环形下的灵敏度。

但是，随着背照式CMOS图像传感器中感光区域的面积不断减小，背照式CMOS图像传感器的获取的图像的真实度不高。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种互补金属氧化物半导体图像传感器以及制备方法，以提高图像传感器的获取的图像的真实度。

第一方面，本发明实施例提供了一种互补金属氧化物半导体图像传感器，包括：

第一衬底，所述第一衬底的第一表面设置有感光区和像素电路区；

N个像素单元，N个所述像素单元位于所述第一衬底的第一表面，所述N的取值包括大于或等于1的整数；所述像素单元包括光电二极管和像素电路，所述光电二极管位于所述感光区，所述像素电路位于所述像素电路区，所述像素电路包括第一栅极结构和悬浮漏极，所述光电二极管与所述悬浮漏极电连接；

导电互连单元，所述导电互连单元覆盖所述第一衬底的第一表面，所述导电互连单元用于将所述像素单元的电信号引出；

第二衬底，所述第二衬底位于所述导电互连单元远离所述第一衬底一侧的表面；

光反射电容单元，所述光反射电容单元位于所述第二衬底的表面，所述光反射电容单元通过所述导电互连单元与所述悬浮漏极电连接，所述光反射电容单元用于将从所述第一衬底的第二表面入射的光反射至所述感光区，且用于调节所述悬浮漏极的电容值。

第二方面，本发明实施例还提供了一种互补金属氧化物半导体图像传感器的制备方法，包括：

提供第一衬底，其中，所述第一衬底的第一表面设置有感光区和像素电路区；

在所述第一衬底的第一表面形成N个像素单元，所述N的取值包括大于或等于1的整数；其中，所述像素单元包括光电二极管和像素电路，所述光电二极管位于所述感光区，所述像素电路位于所述像素电路区，所述像素电路包括第一栅极结构和悬浮漏极，所述光电二极管与所述悬浮漏极电连接；

在所述第一衬底的第一表面形成导电互连单元，所述导电互连单元覆盖所述第一衬底的第一表面，所述导电互连单元用于将所述像素单元的电信号引出；

提供第二衬底；

在所述第二衬底的表面形成光反射电容单元；