[发明专利]半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件，其特征在于，具有：

半导体元件；

引线框；

内置用封装件，其包含对所述半导体元件进行驱动的多芯片结构的绝缘驱动器；

导线，其将所述内置用封装件与所述半导体元件连接；以及

树脂，其将所述半导体元件、所述引线框、所述内置用封装件以及所述导线封装，

所述内置用封装件与所述引线框直接接合。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，

所述内置用封装件具有彼此相对的第1主面和第2主面，

所述第1主面与所述引线框接合，

在所述第2主面设置有与所述绝缘驱动器连接的电极焊盘，

所述电极焊盘通过所述导线而与所述半导体元件连接。

3.根据权利要求1或2所述的半导体封装件，其特征在于，

所述导线是AL导线。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体封装件，其特征在于，

所述半导体元件具有3相的P侧半导体元件，

所述绝缘驱动器具有分别对所述3相的P侧半导体元件进行驱动的3个高压侧绝缘驱动器，

所述3个高压侧绝缘驱动器被集中于1个所述内置用封装件。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体封装件，其特征在于，

所述半导体元件具有3相的P侧半导体元件和3相的N侧半导体元件，

所述绝缘驱动器具有分别对所述3相的P侧半导体元件进行驱动的3个高压侧绝缘驱动器和分别对所述3相的N侧半导体元件进行驱动的3个低压侧绝缘驱动器，

所述内置用封装件具有第1内置用封装件及第2内置用封装件，

所述3个高压侧绝缘驱动器被集中于1个所述第1内置用封装件，

所述3个低压侧绝缘驱动器被集中于1个所述第2内置用封装件。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体封装件，其特征在于，

所述半导体元件具有3相的P侧半导体元件和3相的N侧半导体元件，

所述绝缘驱动器具有分别对所述3相的P侧半导体元件进行驱动的3个高压侧绝缘驱动器和分别对所述3相的N侧半导体元件进行驱动的3个低压侧绝缘驱动器，

所述3个高压侧绝缘驱动器和所述3个低压侧绝缘驱动器被集中于1个所述内置用封装件。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体封装件，其特征在于，

所述半导体元件由宽带隙半导体形成。

8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其特征在于，

所述半导体元件是SiC元件。

9.根据权利要求7所述的半导体封装件，其特征在于，

所述半导体元件是GaN元件。