[发明专利]线路结构

说明书

本发明的实施例提供了一种线路结构，包括：第一介电层，具有第一开口；第一金属层，位于第一开口中，第一金属层的侧壁与第一介电层隔开；第二介电层，位于第一介电层上，并且第二介电层的部分位于第一金属层的侧壁和第一开口的内壁之间。本发明的目的在于改善线路结构的良率。

技术领域

本发明的实施例涉及线路结构。

背景技术

在现有的层堆叠技术应用中(例如通孔至通孔、线至通孔、线至线)，大部份是通过先制备金属层/金属化层(Metallization layer)、后盖介电层/隔离层(Isolationlayer)、再进行机械化学研磨(CMP)或机械研磨(Grinding)的工艺完成，一般的称为双镶嵌(Dual Damascene)工艺，这种方法可以获得平坦化(Planarization)的多层堆叠结构，然而最后在研磨面经常发现众多的微小缺陷(例如刮痕、研磨物残留等)。

此外，目前CMP或机械研磨占了总成本约20％～30％，特别是在高层数的产品(例如，2.5D集成芯片、3D集成芯片、扇出封装件)中所占比例更高。

发明内容

针对相关技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种线路结构及其形成方法，以改善线路结构的良率。

为实现上述目的，本发明的实施例提供了一种线路结构，包括：第一介电层，具有第一开口；第一金属层，位于第一开口中，第一金属层的侧壁与第一介电层隔开；第二介电层，位于第一介电层上，并且第二介电层的部分位于第一金属层的侧壁和第一开口的内壁之间。

在一些实施例中，第二介电层的位于第一金属层侧壁和第一开口的内壁之间的部分的顶面具有缺口。

在一些实施例中，第一金属层的顶面低于第二介电层的顶面。

在一些实施例中，在俯视图中，第二介电层构造成环绕第一金属层。

在一些实施例中，还包括：焊盘结构，位于第一介电层中，第一开口位于焊盘结构上。

在一些实施例中，第一开口的横向尺寸小于焊盘结构的横向尺寸。

在一些实施例中，第二介电层在第一金属层上具有第二开口，第二金属层位于第二开口中，第二金属层的侧壁与第二开口的内壁隔开。

在一些实施例中，还包括：第三介电层，位于第二介电层上，第三介电层还位于第二金属层的侧壁与第二开口的内壁之间。

在一些实施例中，在第一金属层和第二金属层下方分别设置有第一种子层和第二种子层，第一金属层和第二金属层通过第二种子层隔开。

在一些实施例中，在俯视图中，第一金属层和第二金属层的形状相似。

在一些实施例中，第一金属层和第二金属层部分地重叠。

本申请的实施例提供一种形成线路结构的方法，包括：在第一介电层中形成第一开口；在第一介电层上和第一开口中形成第一掩模层；去除部分的第一掩模层，以形成位于第一开口中的第一开孔，第一开孔未暴露第一开口的内壁；在第一开孔中形成第一金属层；去除第一掩模层；在第一开口的内壁和第一金属层之间及第一介电层上形成第二介电层。

在一些实施例中，第二介电层的位于第一开口的内壁和第一金属层之间的部分的顶面处具有缺口。

在一些实施例中，第一金属层通过电镀形成。

在一些实施例中，在电镀过程中，控制第一金属层的厚度，使得第一金属层的高度不超过第一介电层的顶面。

在一些实施例中，在形成第一开口之后，并在形成第一掩模层之后，在第一介电层上和第一开口中形成第一种子层。

在一些实施例中，在去除第一掩模层后，以第一金属层为掩模图案化第一种子层。