[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

等离子体处理腔室；

配置在所述等离子体处理腔室内的基片支承部；

与所述等离子体处理腔室结合，生成包含多个源循环的脉冲源RF信号的源RF生成部，各源循环具有源运行期间的时段内的源运行状态和源运行期间后的源未运行期间的时段内的源未运行状态；和

与所述基片支承部结合，生成脉冲偏置RF信号的偏置RF生成部，所述脉冲偏置RF信号具有具备与所述多个源循环相同的脉冲频率的多个偏置循环，各偏置循环具有偏置运行期间的时段内的偏置运行状态和偏置运行期间后的偏置未运行期间的时段内的偏置未运行状态，

各偏置循环中的向偏置运行状态的转变时刻相对于对应的源循环中的向源运行状态的转变时刻延迟，所述源未运行期间与所述偏置未运行期间重叠，各偏置循环中的偏置运行期间与下一次源循环中的源运行期间重叠。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述源运行状态包括至少两个源功率电平，

所述偏置运行状态包括至少两个偏置功率电平。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述源运行状态具有第一源功率电平和所述第一源功率电平之后的第二源功率电平，

所述偏置运行状态具有第一偏置功率电平和所述第一偏置功率电平之后的第二偏置功率电平，

所述脉冲偏置RF信号在各源循环中的所述源未运行期间中向所述偏置运行状态转变。

4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述脉冲偏置RF信号在各源循环中的所述源未运行期间中从所述第一偏置功率电平向所述第二偏置功率电平转变。

5.如权利要求3或4所述的等离子体处理装置，其特征在于：

从各源循环中的所述第一源功率电平向所述第二源功率电平的转变与从各偏置循环中的所述偏置运行状态向所述偏置未运行状态的转变实质上同步。

6.如权利要求3～5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第一源功率电平比所述第二源功率电平大。

7.如权利要求3～5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第一源功率电平比所述第二源功率电平小。

8.如权利要求3～7中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第二偏置功率电平比所述第一偏置功率电平大。

9.如权利要求3～7中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第二偏置功率电平比所述第一偏置功率电平小。

10.一种等离子体处理方法，其为在等离子体处理装置中所使用的等离子体处理方法，

所述等离子体处理装置包括等离子体处理腔室、配置在所述等离子体处理腔室的上方的天线、与所述天线结合而生成第一RF功率的第一RF生成部、配置在所述等离子体处理腔室内的基片支承部和与所述基片支承部结合而生成第二RF功率的第二RF生成部，

该等离子体处理方法的特征在于，包括：

在第一期间中，将第一RF功率供给到所述天线，将第二RF功率供给到所述基片支承部的步骤；

在所述第一期间后的第二期间中，将第一RF功率供给到所述天线，停止对所述基片支承部供给所述第二RF功率的步骤；

在所述第二期间后的第三期间中，停止对所述天线供给所述第一RF功率，停止对所述基片支承部供给第二RF功率的步骤；

在所述第三期间后的第四期间中，不对所述天线供给RF功率而将所述第二RF功率供给到所述基片支承部的步骤。