[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置

说明书

本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够提高等离子体的处理性能。等离子体处理装置包括等离子体处理腔室、基片支承部、源RF生成部、偏置RF生成部。基片支承部配置在等离子体处理腔室内。源RF生成部与等离子体处理腔室结合，生成包含多个源循环的脉冲源RF信号。各源循环具有源运行状态和源未运行状态。偏置RF生成部与基片支承部结合，生成脉冲偏置RF信号。脉冲偏置RF信号具有具备与多个源循环相同的脉冲频率的多个偏置循环，各偏置循环具有偏置运行状态和偏置未运行状态。各偏置循环中的向偏置运行状态的转变时刻相对于对应的源循环中的向源运行状态的转变时刻延迟。

技术领域

本发明涉及等离子体处理方法和等离子体处理装置。

背景技术

专利文献1公开了在使用感应耦合型等离子体(也称为Inductively CoupledPlasma：ICP、变压器耦合型等离子体(Transformer Coupled Plasma：TCP)。)的装置中将RF(Radio Frequency)信号脉冲化的技术。该专利献1例如公开了使向线圈供给的源RF信号和向卡盘供给的偏置RF信号以脉冲序列为逆的方式同步的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开第2017/0040174号说明书

发明内容

发明要解决的技术课题

本发明提供能够提高等离子体的处理性能的技术。

用于解决技术课题的技术方案

本发明的一个方式的等离子体处理装置包括等离子体处理腔室、基片支承部、源RF生成部、偏置RF生成部。基片支承部配置在等离子体处理腔室内。源RF生成部与等离子体处理腔室结合，生成包含多个源循环的脉冲源RF信号。各源循环具有源运行期间的时段内的源运行状态和源运行期间后的源未运行期间的时段内的源未运行状态。偏置RF生成部与基片支承部结合，生成脉冲偏置RF信号。脉冲偏置RF信号具有具备与多个源循环相同的脉冲频率的多个偏置循环，各偏置循环具有偏置运行期间的时段内的偏置运行状态和偏置运行期间后的偏置未运行期间的时段内的偏置未运行状态。各偏置循环中的向偏置运行状态的转变时刻相对于对应的源循环中的向源运行状态的转变时刻延迟。源未运行期间与偏置未运行期间重叠。各偏置循环中的偏置运行期间与下一次的源循环中的源运行期间重叠。

发明效果

根据本发明，能够提高等离子体的处理性能。

附图说明

图1是实施方式的等离子体处理装置的构成的概念图。

图2是表示图1的等离子体处理装置的构成的一例的概要纵截面图。

图3是表示实施方式的等离子体处理的流程的一例的流程图。

图4是表示由实施方式的等离子体处理所处理的基片的一例的图。

图5是表示在实施方式的等离子体处理中用于高频(RF)功率供给的RF信号的波形的一例的图。

图6是用于说明与RF信号的波形例1相应的等离子体处理腔室内的物理量的变化的图。

图7是用于说明与RF信号的波形例2相应的等离子体处理腔室内的物理量的变化的图。

图8是用于说明与RF信号的波形例3相应的等离子体处理腔室内的物理量的变化的图。

图9是用于说明与RF信号的波形例4相应的等离子体处理腔室内的物理量的变化的图。

图10是表示在变形例1的等离子体处理中用于RF功率供给的RF信号的波形例的图。