[发明专利]清洁和处置微电子装置的方法以及相关工装和组件在审
申请号: | 202110496133.2 | 申请日: | 2021-05-07 |
公开(公告)号: | CN114582749A | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | B·P·沃兹;A·M·贝利斯 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王艳娇 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洁 处置 微电子 装置 方法 以及 相关 工装 组件 | ||
1.一种处理微电子装置部件的方法,其包括:
在半导体裸片表面的一部分上供应流体;
从所述半导体裸片表面的另一部分抽吸所述流体;
在供应和抽吸所述流体之后从支撑元件提升所述半导体裸片;
在所述半导体裸片的相对表面的一部分上供应所述流体;
从所述半导体裸片的所述相对表面的另一部分抽吸所述流体;以及
将所述半导体裸片定位在另一微电子装置部件上。
2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括在供应所述流体时脉冲输送所述流体。
3.根据权利要求1所述的方法,其中从所述半导体裸片表面的另一部分抽吸所述流体包括从所述半导体裸片表面的所述另一部分移除与供应到所述半导体裸片表面的所述部分基本相同的量的流体。
4.根据权利要求1所述的方法,其中从所述相对表面的另一部分抽吸所述流体包括从所述半导体裸片的所述相对表面的所述另一部分移除与供应到所述半导体裸片的所述相对表面的所述部分基本相同的量的流体。
5.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括使所述流体流动到接近所述半导体裸片的外周的道中。
6.根据权利要求1到5中任一项所述的方法,其进一步包括使所述半导体裸片的所述相对表面与所述支撑元件之间的粘合剂与流动到道中的所述流体接触,且利用所述流体溶解所述支撑元件与所述半导体裸片之间的粘合剂的至少一部分。
7.根据权利要求6所述的方法,其进一步包括在提升所述半导体裸片之前溶解所述粘合剂的所述至少一部分。
8.根据权利要求1到5中任一项所述的方法,其中所述流体包括去离子水或溶剂。
9.一种方法,其包括:
移除半导体裸片与支撑元件之间的粘合剂的至少一部分;
利用拾取工具通过对所述半导体裸片的一侧和所述支撑元件施加真空而从所述支撑元件拾取所述半导体裸片,且利用所述拾取工具提升所述半导体裸片;以及利用所述拾取工具将所述半导体裸片传送到另一位置。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述粘合剂包括水溶性粘合剂。
11.根据权利要求9或10中任一项所述的方法,其中移除所述粘合剂的所述至少一部分包括使流体流动到接近所述半导体裸片与所述支撑元件之间的所述粘合剂的区域中以至少使所述粘合剂降解。
12.根据权利要求11所述的方法,其进一步包括使所述流体流动到所述区域中持续约1秒(s)与约30 s之间的时间段。
13.根据权利要求9所述的方法,其中所述粘合剂包括热可释放粘合剂,且移除所述粘合剂的所述至少一部分包括加热所述粘合剂。
14.根据权利要求13所述的方法,其中加热所述粘合剂包括利用激光加热所述半导体裸片。
15.根据权利要求13所述的方法,其中加热所述粘合剂包括利用激光加热所述支撑元件。
16.一种用于处置微电子装置的设备,其包括:
至少一个喷嘴,其包括:
流体出口通口,其经配置且可定位以在微电子装置的表面上供应流体;和
抽吸通口,其经配置以从所述微电子装置的所述表面接收所供应的所述流体;以及
具有拾取表面的拾取臂,所述拾取表面经配置且可定位以通过对所述表面施加真空而将所述微电子装置接收于所述拾取表面上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造