[发明专利]清洁和处置微电子装置的方法以及相关工装和组件

说明书

本申请涉及清洁和处置微电子装置的方法以及相关工装和组件。一种用于处置半导体裸片的设备可包含一或多个喷嘴，所述一或多个喷嘴经配置以在至少一个半导体裸片上供应和抽吸流体。所述设备可包含拾取设备，所述拾取设备包括用于拾取所述至少一个半导体裸片的拾取头。所述一或多个喷嘴可经配置以清洁所述至少一个半导体裸片的表面、至少部分地移除所述至少一个半导体裸片与支撑元件之间的粘合剂，或这两者。

优先权声明

本申请要求2020年12月2日申请的“清洁和处置微电子装置部件的方法以及相关工装和组件(METHODS OF CLEANING AND HANDLING MICROELECTRONIC DEVICE COMPONENTSAND RELATED TOOLING AND ASSEMBLIES)”的第63/120,260号美国临时专利申请的申请日的权益。

技术领域

本公开的实施例大体上涉及清洁和处置微电子装置部件的方法。具体地说，本公开的实施例涉及清洁、拾取、传送和组装微电子装置的部件的方法，且涉及相关工装和组件。

背景技术

随着电子装置和系统的性能提高，存在提升此类系统的微电子部件的性能、同时维持或甚至缩小微电子装置或组件的外观尺寸(即，长度、宽度和高度)的相关联需求。此类需求通常但非排他地与移动装置和高性能装置相关联。为了维持或减小呈微电子装置(例如，半导体裸片)形式的部件组件的占据面积和高度，配备有用于堆叠的部件之间的竖直电(即，信号、电力、接地/偏置)通信的所谓的穿硅通孔(TSV)的经堆叠部件的三维(3D)组件已变得较常见，其结合了对部件厚度的减小以及在接合线(即，经堆叠部件之间的空间)中采用预制电介质膜以减小接合线厚度的同时增大接合线均匀性。此类电介质膜包含例如所谓的不导电膜(NCF)和晶片级底胶(WLUF)，此类术语通常可互换地使用。虽然在减小3D微电子装置组件的高度方面有效，但将例如半导体裸片的微电子装置的厚度减小到约50μm或更小(例如，30μm、20μm)会增大装置脆弱性和在应力下的易开裂性，所述应力具体是压缩(即，冲击)应力和弯曲应力。减小接合线厚度还可能加重此类极薄微电子装置的易损坏性，因为当例如装置堆叠在另一装置上以形成3D组件时，接合线中的薄电介质材料(例如，NCF)可能不再提供任何缓冲效果或容纳接合线中的微粒污染物的能力。包含可能遭受应力引发的开裂的经堆叠微电子装置的微电子装置组件的非限制性实例包含单独的或与其它裸片功能(例如，逻辑)组合的半导体存储器裸片的组件，包含所谓的高带宽存储器(HBMx)、混合存储器立方体(HMC)和芯片到晶片(C2W)组件。

发明内容

本公开的一些实施例可包含一种处理微电子装置部件的方法。所述方法可包含在半导体裸片表面的一部分上供应流体。所述方法还可包含从所述半导体裸片表面的另一部分抽吸所述流体。所述方法可进一步包含在供应和抽吸所述流体之后从支撑元件提升所述半导体裸片。所述方法还可包含在所述半导体裸片的相对表面的一部分上供应所述流体。所述方法可进一步包含从所述半导体裸片的所述相对表面的另一部分抽吸所述流体。所述方法还可包含将所述半导体裸片定位在另一微电子装置部件上。

本公开的其它实施例可包含一种方法。所述方法可包含移除半导体裸片与支撑元件之间的粘合剂的至少一部分。所述方法可进一步包含利用拾取工具通过对所述半导体裸片的一侧和所述支撑元件施加真空而从所述支撑元件拾取所述半导体裸片。所述方法还可包含利用所述拾取工具提升所述半导体裸片。所述方法可进一步包含利用所述拾取工具将所述半导体裸片传送到另一位置。

本公开的其它实施例可包含一种用于处置微电子装置的设备。所述设备可包含至少一个喷嘴。所述喷嘴可包含流体出口通口，所述流体出口通口经配置且可定位以在微电子装置的表面上供应流体。所述喷嘴可进一步包含抽吸通口，所述抽吸通口经配置以从所述微电子装置的所述表面接收所供应的流体。所述设备可进一步包含具有拾取表面的拾取臂，所述拾取表面经配置且可定位以通过对所述表面施加真空而将所述微电子装置接收于所述拾取表面上。