[发明专利]OLED像素形成用掩模、掩模支撑模板及框架一体型掩模

说明书

本发明涉及OLED像素形成用掩模、掩模支撑模板及框架一体型掩模。根据本发明的掩模为形成有多个掩模图案且用于形成OLED像素的掩模，掩模图案包括上部的第一掩模图案与下部的第二掩模图案，第一掩模图案的厚度大于第二掩模图案的厚度，第一掩模图案的两侧面具有凹状的曲率，第一掩模图案的上部宽度大于第二掩模图案的下部宽度，第一掩模图案的下部宽度小于第二掩模图案的下部宽度。

技术领域

本发明涉及OLED像素形成用掩模、掩模支撑模板及框架一体型掩模。更具体地，涉及一种能够准确地控制掩模图案的尺寸与位置的OLED像素形成用掩模、掩模支撑模板及框架一体型掩模。

背景技术

作为OLED(有机发光二极管)制造工艺中形成像素的技术，主要使用FMM(FineMetal Mask，精细金属掩模)方法，该方法将薄膜形式的金属掩模(Shadow Mask，阴影掩模)紧贴于基板并且在所需位置上沉积有机物。

现有的掩模制造方法准备用作掩模的金属薄板，在金属薄板上进行PR涂布之后进行图案化或进行PR涂布使具有图案之后通过蚀刻制造具有图案的掩模。然而，为了防止阴影效果(Shadow Effect)，难以使掩模图案倾斜地形成锥形(Taper)，而且需要执行额外的工艺，因此导致工艺时间、费用增加，生产性下降。

在超高画质的OLED中，现有的QHD画质为500-600PPI(pixel per inch，每英寸像素)，像素的尺寸达到约30-50μm，而4KUHD、8KUHD高画质具有比之更高的-860PPI，-1600PPI等的分辨率。因此，急需开发能够精准地调节掩模图案的尺寸的技术。

另外，在现有的OLED制造工艺中，将掩模制造成条状、板状等之后，将掩模焊接固定到OLED像素沉积框架并使用。为了制造大面积OLED，可将多个掩模固定于OLED像素沉积框架，在固定于框架的过程中，拉伸各个掩模，以使其变得平坦。在将多个掩模固定于一个框架过程中，仍然存在掩模之间及掩模单元之间对准不好的问题。此外，在将掩模焊接固定于框架的过程中，掩模膜的厚度过薄且面积大，因此存在掩模因荷重而下垂或者扭曲的问题。

如此，考虑到超高画质的OLED的像素尺寸，需要将各单元之间的对准误差缩减为数μm左右，超出这一误差将导致产品的不良，所以收率可能极低。因此，需要开发能够防止掩模的下垂或者扭曲等变形并使对准精确的技术以及将掩模固定于框架的技术等。

发明内容

技术问题

因此，本发明是为了解决如上所述的现有技术中存在的诸多问题而提出的，目的在于提供一种能够准确地控制掩模图案尺寸的OLED像素形成用掩模、掩模支撑模板及框架一体型掩模。

技术方案

本发明的目的通过形成有多个掩模图案的OLED像素形成用掩模来实现，掩模图案包括上部的第一掩模图案与下部的第二掩模图案，第一掩模图案的厚度大于第二掩模图案的厚度，第一掩模图案的两侧面具有凹状曲率，第一掩模图案的上部宽度大于第二掩模图案的下部宽度，第一掩模图案的下部宽度小于第二掩模图案的下部宽度。

第二掩模图案的两侧面可形成有具有凸状曲率。

第一掩模图案与第二掩模图案形状的和整体上可呈现锥形或者倒锥形。

连接第一掩模图案的上端角部至第一掩模图案的下端角部的虚直线与掩模的下部面形成的角度可小于60°且大于0。

第一掩模图案的下部宽度可大于15.4μm小于35μm。

掩模的厚度可以是5μm至20μm。