[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括阵列区域及位于所述阵列区域外围的外围区域；

于所述外围区域的所述基底内形成硅通孔，所述硅通孔的深度小于所述基底的厚度；

于所述基底的上表面、所述硅通孔的侧壁及底部形成填充介质层；

于所述硅通孔内形成导电层,所述导电层与所述填充介质层的上表面相平齐；

于位于所述基底上表面的所述填充介质层内形成第一金属层，所述第一金属层的上表面与所述导电层的上表面相平齐；

于所述填充介质层的上表面、所述第一金属层的上表面及所述导电层的上表面形成第一介质层；

于所述第一介质层内同时形成第一互连结构及第二互连结构，所述第一互连结构的底部与所述第一金属层相接触，所述第二互连结构的底部与所述导电层相接触。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述基底的上表面、所述硅通孔的侧壁及底部形成氧化硅层作为所述填充介质层。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述填充介质层的上表面、所述第一金属层的上表面及所述导电层的上表面形成氧化硅层作为第一介质层。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述基底包括衬底及位于所述衬底上表面的第二介质层，所述阵列区域的所述第二介质层内形成有若干个呈阵列排布的器件单元及互连插塞，所述互连插塞的底部与所述器件单元相接触。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于位于所述基底上表面的所述填充介质层内形成第一金属层包括：

于位于所述基底上表面的所述填充介质层内形成第一沟槽，所述第一沟槽至少暴露出部分所述互连插塞；

于所述第一沟槽内及所述第二介质层的上表面形成第一金属材料层；

去除位于所述第二介质层上表面的所述第一金属材料层。

6.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述器件单元包括存储器单元。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述第一介质层内同时形成第一互连结构及第二互连结构，包括：

于所述第一介质层内形成第一互连通孔及第二互连通孔，所述第一互连通孔暴露出所述第一金属层，所述第二互连通孔暴露出所述导电层；

于所述第一互连通孔内、所述第二互连通孔内及所述第一介质层的上表面形成互连材料层；

去除位于所述第一介质层上表面的所述互连材料层，保留于所述第一互连通孔内的所述互连材料层即为所述第一互连结构，保留于所述第二互连通孔内的所述互连材料层即为所述第二互连结构。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述第一介质层内同时形成第一互连结构及第二互连结构之后，还包括：

于所述第一介质层的上表面形成第三介质层；

于所述第三介质层内形成第二沟槽，所述第二沟槽暴露出所述第一互连结构及所述第二互连结构；

于所述第二沟槽内形成第二金属层，所述第二金属层的底部与所述第一互连结构及所述第二互连结构相接触。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述第二沟槽内形成第二金属层，包括：

于所述第二沟槽内及所述第三介质层的上表面形成第二金属材料层；

去除位于所述第三介质层上表面的所述第二金属材料层。

10.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述第二沟槽内形成第二金属层之后还包括：

对所述基底的背面进行减薄处理，直至暴露出所述导电层的底部。

11.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺对所述基底的背面进行减薄处理。