[发明专利]一种采用PECVD技术制备无机透明超疏水薄膜的方法

权利要求书

1.一种采用PECVD技术制备无机透明超疏水薄膜的方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：

（1）在玻璃基片表面固定掩膜版，掩膜版的目数为50-900目；

（2）将步骤（1）中的玻璃基片置入PECVD沉积腔体，以甲烷和硅烷为工作气体，设置好PECVD沉积参数，对玻璃基片进行第一次沉积，沉积结束后，卸掉掩膜版，得到沉积有碳化硅薄膜的玻璃基片；

（3）依次重复步骤（1）、（2）2-3次，重复步骤（1）过程中，固定的掩膜版与前一个掩膜版形成一定夹角，夹角为10-80度，在基片表面多次固定的掩膜版之间的位置不重合，得到多次沉积有碳化硅薄膜的玻璃基片；

（4）对多次沉积有碳化硅薄膜的玻璃基片置入PECVD沉积腔体，以甲烷和硅烷为工作气体，设置好PECVD沉积参数，对玻璃基片进行沉积，即可得到无机透明超疏水薄膜。

2.根据权利要求1所述的采用PECVD技术制备无机透明超疏水薄膜的方法，其特征在于，步骤（2）中，PECVD沉积参数为：射频功率100～250W，射频频率13.56MHz，基片温度200～250℃，腔体压强60～100Pa，通入纯度为99.999%的甲烷气体流量20～40sccm，通入纯度为99.999%的硅烷气体流量20～50sccm，沉积时间10～20分钟。

3.根据权利要求1所述的采用PECVD技术制备无机透明超疏水薄膜的方法，其特征在于，步骤（4）中，PECVD沉积参数为：射频功率100～250W，射频频率13.56MHz，基片温度200～250℃，腔体压强60～100Pa，通入纯度为99.999%的甲烷气体流量20～40sccm，通入纯度为99.999%的硅烷气体流量20～50sccm，沉积时间10～20分钟。