[发明专利]用于图案化的方法以及存储器结构

权利要求书

1.一种用于图案化的方法，包括：

在衬底上形成具有第一宽度的第一多晶硅线和具有第二宽度的第二多晶硅线，其中，所述第一多晶硅线和所述第二多晶硅线由多晶硅层间隔开，并且所述第一多晶硅线和所述第二多晶硅线中的每一个包括宽于所述第一宽度和所述第二宽度的接触区域；

在所述第一多晶硅线、所述第二多晶硅线的所述接触区域和所述多晶硅层上沉积掩模层；

用干法蚀刻工艺从所述多晶硅层蚀刻所述掩模层，以移除所述掩模层的部分并暴露出所述多晶硅层的第一部分；

用湿法蚀刻工艺从所述多晶硅层蚀刻所述掩模层的未移除部分，以暴露出所述多晶硅层的比所述第一部分大的第二部分，其中，所述第二部分比插入在所述第二多晶硅线的所述接触区域和所述第一多晶硅线之间的所述多晶硅层窄；以及

移除所述多晶硅层的暴露的所述第二部分，以在所述第二多晶硅线的所述接触区域和所述第一多晶硅线之间形成间隔。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，蚀刻所述掩模层包括：

移除设置在氧化物掩模层上的氮化物掩模层，其中，所述氧化物掩模层设置在所述第一多晶硅线上；以及

移除所述氧化物掩模层、所述第二多晶硅线的接触区域和所述多晶硅层的部分。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，蚀刻所述掩模层的所述未移除部分包括：蚀刻设置在所述第一多晶硅线、所述第二多晶硅线的所述接触区域和所述多晶硅层上的氧化物掩模层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述多晶硅层上沉积所述掩模层包括：用所述掩模层覆盖形成在所述多晶硅层的顶表面上的皮层的侧壁和底表面。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，用所述干法蚀刻工艺蚀刻所述掩模层包括：在所述掩模层上图案化光刻胶层，以在所述多晶硅层上方暴露出所述掩模层的区域，其中，所述掩模层的暴露的所述区域比所述多晶硅层窄。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，用所述湿法蚀刻工艺蚀刻所述掩模层的所述未移除部分包括：在所述掩模层的未蚀刻部分中形成底切。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述掩模层包括：

在第一多晶硅线、所述第二多晶硅线的接触区域和所述多晶硅层上沉积氧化物层；以及

在所述氧化物层上沉积氮化物层。

8.一种用于图案化的方法，包括：

在插入在第一多晶硅栅极结构和第二多晶硅栅极结构之间的多晶硅层的顶部上形成的皮层中沉积第一硬掩模层；

在所述第一硬掩模层上沉积第二硬掩模层，其中，所述第一硬掩模层和所述第二硬掩模层覆盖所述皮层的侧壁和底表面；

执行第一蚀刻以从所述皮层的第一侧壁移除所述第二硬掩模层和所述第一硬掩模层的部分；

执行第二蚀刻以从所述第一侧壁和所述皮层的底表面移除所述第一硬掩模层；以及

执行第三蚀刻以移除未被所述第一硬掩模层和所述第二硬掩模层覆盖的所述多晶硅层，以在所述第一多晶硅栅极结构和所述第二多晶硅栅极结构之间形成间隔。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：在所述第二多晶硅栅极结构上形成接触件。

10.一种存储器结构，包括：

衬底；

第一多晶硅线和第二多晶硅线，彼此平行地设置在所述衬底上，所述第一多晶硅线和所述第二多晶硅线中的每一个包括接触区域和非接触区域，其中，每个接触区域比每个非接触区域宽，并且其中，所述第一多晶硅线的所述接触区域相对于所述第二多晶硅线的所述接触区域偏移；

多晶硅层，设置在所述第一多晶硅线的非接触区域的侧壁上并与所述第二多晶硅线的所述接触区域相对；

在所述多晶硅层和所述第二多晶硅线的所述接触区域之间的空间；以及

接触件，设置在所述第二多晶硅线的所述接触区域上。