[发明专利]用于图案化的方法以及存储器结构

说明书

本公开描述了一种用于存储单元中的条带区域的图案化工艺，用于移除多晶硅线之间的材料。图案化工艺包括：在插入第一多晶硅栅极结构和第二多晶硅栅极结构之间的多晶硅层的顶部上形成的皮层中沉积第一硬掩模层；在第一硬掩模层上沉积第二硬掩模层。图案化工艺还包括：执行第一蚀刻以从皮层移除第二硬掩模层和第二硬掩模层的一部分；执行第二蚀刻以从皮层移除第一硬掩模层；以及执行第三蚀刻以移除未被第一硬掩模层和第二硬掩模层覆盖的多晶硅层，以在第一多晶硅栅极结构和第二多晶硅栅极结构之间形成间隔。本发明的实施例还涉及用于图案化的方法以及存储器结构。

技术领域

本发明的实施例涉及用于图案化的方法以及存储器结构。

背景技术

非易失性存储器件(例如闪存)广泛用于各种电子器件或仪器(例如， 计算机、手机、平板电脑、数码相机、科学仪器等)中，以存储数据和/或 编程指令，其可以随后被读取、擦除、编程和在断电时被保存。因此，非 易失性存储器(NVM)单元是现代芯片的重要元件。

发明内容

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种用于图案化的方法，包括： 在衬底上形成具有第一宽度的第一多晶硅线和具有第二宽度的第二多晶硅 线，其中，第一多晶硅线和第二多晶硅线由多晶硅层间隔开，并且第一多 晶硅线和第二多晶硅线中的每一个包括宽于第一宽度和第二宽度的接触区 域；在第一多晶硅线、第二多晶硅线的接触区域和多晶硅层上沉积掩模层； 用干法蚀刻工艺从多晶硅层蚀刻掩模层，以移除掩模层的部分并暴露出多 晶硅层的第一部分；用湿法蚀刻工艺从多晶硅层蚀刻掩模层的未移除部分， 以暴露出多晶硅层的比第一部分大的第二部分，其中，第二部分比插入在 第二多晶硅线的接触区域和第一多晶硅线之间的多晶硅层窄；以及移除多 晶硅层的暴露的第二部分，以在第二多晶硅线的接触区域和第一多晶硅线 之间形成间隔。

根据本发明实施例的另一个方面，提供了一种用于图案化的方法，包 括：在插入在第一多晶硅栅极结构和第二多晶硅栅极结构之间的多晶硅层 的顶部上形成的皮层中沉积第一硬掩模层；在第一硬掩模层上沉积第二硬 掩模层，其中，第一硬掩模层和第二硬掩模层覆盖皮层的侧壁和底表面； 执行第一蚀刻以从皮层的第一侧壁移除第二硬掩模层和第一硬掩模层的部 分；执行第二蚀刻以从第一侧壁和皮层的底表面移除第二硬掩模层；以及 执行第三蚀刻以移除未被第一硬掩模层和第二硬掩模层覆盖的多晶硅层， 以在第一多晶硅栅极结构和第二多晶硅结构之间形成间隔。

根据本发明实施例的又一个方面，提供了一种存储器结构，包括：衬 底；第一多晶硅线和第二多晶硅线，彼此平行地设置在衬底上，第一多晶 硅线和第二多晶硅线中的每一个包括接触区域和非接触区域，其中，每个 接触区域比每个非接触区域宽，并且其中，第一多晶硅线的接触区域相对 于第二多晶硅线的接触区域偏移；多晶硅层，设置在第一多晶硅线的非接 触区域的侧壁上并与第二多晶硅线的接触区域相对；在多晶硅层和第二多 晶硅线的接触区域之间的空间；以及接触件，设置在第二多晶硅线的接触 区域上。

附图说明

当与附图一起阅读时，根据以下详细描述可以最佳地理解本公开的各 方面。

图1A和图1B是根据一些实施例的在存储器单元的条带区域中的多晶 硅线的俯视图。

图2A是根据一些实施例的在存储器单元的条带区域中的多晶硅线的 截面图。

图2B是根据一些实施例的在条带区域之外的存储器单元区域中的多 晶硅线的截面图。

图2C是根据一些实施例的在存储器单元的条带区域中的多晶硅线的 截面图。

图3是根据一些实施例的用于移除存储器单元的条带区域中的多晶硅 材料的图案化方法的流程图。

图4是根据一些实施例的在用于移除存储器单元的条带区域中的多晶 硅材料的图案化方法期间的中间结构的截面图。