[发明专利]一种FPC微电路弯曲受损程度检定方法、装置及电子设备

权利要求书

1.一种FPC微电路弯曲受损程度检定方法，其特征在于，所述方法包括：

当检测到FPC微电路在弯曲状态下通电时，在当前弯曲半径下，采集至少一张所述FPC微电路的局部红外图像；

基于所述局部红外图像，计算所述FPC微电路在所述当前弯曲半径下的温度参数；

基于所述温度参数，判断所述当前弯曲半径下所述FPC微电路的受损程度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在当前弯曲半径下，采集至少一张所述FPC微电路的局部红外图像，包括：

在当前弯曲半径下，采集所述FPC微电路在不同位置的局部红外图像；

所述基于所述温度参数，判断所述当前弯曲半径下所述FPC微电路的受损程度，包括：

比对相同弯曲半径处的各测量位置对应的所述温度参数，将温度异常的所述温度参数对应的所述测量位置确定为受损位置；

确定每个所述受损位置的受损程度。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将温度异常的所述温度参数对应的所述测量位置确定为受损位置之后，还包括：

根据各所述局部红外图像构建三维坐标系，计算所述受损位置在所述三维坐标系中的三维坐标；

基于所述三维坐标对所述局部红外图像进行受损位置标记，生成并得到受损标记图像。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述生成并得到受损标记图像之后，还包括：

获取所述受损位置的弯曲半径数值以及所述温度参数，基于所述弯曲半径数值、温度参数、受损标记图像生成打包文件；

得到所有所述打包文件后，将各所述打包文件发送至预设终端。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述比对相同弯曲半径处的各测量位置对应的所述温度参数，将温度异常的所述温度参数对应的所述测量位置确定为受损位置，包括：

获取各弯曲半径处的弯曲角度，基于电阻与弯曲角度的对应变化关系计算各所述弯曲半径处的理论电阻变化以及所述理论电阻变化对应的理论温度变化；

在相同弯曲半径下，计算各所述温度参数与所述理论温度变化的第一差值，将超过第一阈值的所述第一差值对应的温度参数确认为温度变化异常；

将温度变化异常的所述温度参数对应的测量位置确定为受损位置。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述比对相同弯曲半径处的各测量位置对应的所述温度参数，将温度异常的所述温度参数对应的所述测量位置确定为受损位置，包括：

获取相同弯曲半径处的所有所述温度参数，筛选出至少与一个其他温度参数的第二差值小于第二阈值的所述温度参数；

将筛选出的各所述温度参数取平均值，得到平均温度变化；

分别计算各所述温度参数与所述平均温度变化的第三差值，将超过第三阈值的所述第三差值对应的温度参数确认为温度变化异常；

将温度变化异常的所述温度参数对应的测量位置确定为受损位置。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述确定每个所述受损位置的受损程度，包括：

根据预设的多个温度差异阈值对所述FPC微电路的受损程度进行分级；

计算所述受损位置的温度参数所对应的级别，确定所述受损位置的受损程度。

8.一种FPC微电路弯曲受损程度检定装置，其特征在于，应用权利要求1-7所述的方法，所述装置包括：

基架、安装在所述基架上的传感器升降结构、安装在所述基架上的纵横平移台、安装在所述纵横平移台上的治具角度调节载台、设置在所述治具角度调节载台上的可旋转曲面治具以及安装在所述传感器升降结构上的红外线热成像传感器；

所述可旋转曲面治具用以通过外接真空源将FPC微电路吸附于治具曲面上，使所述FPC微电路弯曲；

所述红外线热成像传感器用以捕获所述可旋转曲面治具的治具曲面上任一区域的局部红外图像。