[发明专利]一种FPC微电路弯曲受损程度检定方法、装置及电子设备

说明书

本发明公开了一种FPC微电路弯曲受损程度检定方法、装置及电子设备。该方法包括当检测到FPC微电路在弯曲状态下通电时，采集FPC微电路的局部红外图像；基于局部红外图像，计算FPC微电路在各弯曲半径下的测量位置的温度参数；比对相同弯曲半径处的各温度参数，将温度变化异常的温度参数对应的测量位置确定为受损位置。本发明实现了在模拟FPC微电路实际使用中弯曲的情形下，通过对弯曲的FPC微电路通以工作电流，来捕获不同弯曲半径位置的发热差异图像，进而实现对微电路的受损程度和受损位置的准确检定。

技术领域

本申请涉及FPC微电路测试技术领域，具体而言，涉及一种FPC微电路弯曲受损程度检定方法、装置及电子设备。

背景技术

电子行业FPC微电路应用极为广泛，对FPC微电路的检测要求也越来越高。FPC微电路设计时必须确定使用过程中弯曲部位微电路的性能变化，以此来对FPC微电路设计进行改良，因而制出FPC微电路样本后需进行弯曲引致微电路性能弯化的检定。而在对FPC微电路性能弯化检定中，由于微电路弯曲后容易受损，因此对FPC微电路弯曲受损程度的检测是其中重要的一环。单一通电阻值法，只能检定参数变化量，无法确定发生变化的位置，且由于弯曲时同一位置的电阻即使没有受损也会发生变化，故这种方式很难对受损程度进行判断。而肉眼或基于通用显微镜的方式要检视FPC微电路内部的变化亦难以胜任，且通过这种方式来检测微电路的受损花费的时间较长，效率低下。

发明内容

为了解决上述问题，本申请实施例提供了一种FPC微电路弯曲受损程度检定方法、装置及电子设备。

第一方面，本申请实施例提供了一种FPC微电路弯曲受损程度检定方法，所述方法包括：

当检测到FPC微电路在弯曲状态下通电时，在当前弯曲半径下，采集至少一张所述FPC微电路的局部红外图像；

基于所述局部红外图像，计算所述FPC微电路在所述当前弯曲半径下的温度参数；

基于所述温度参数，判断所述当前弯曲半径下所述FPC微电路的受损程度。

优选的，所述在当前弯曲半径下，采集至少一张所述FPC微电路的局部红外图像，包括：

在当前弯曲半径下，采集所述FPC微电路在不同位置的局部红外图像；

所述基于所述温度参数，判断所述当前弯曲半径下所述FPC微电路的受损程度，包括：

比对相同弯曲半径处的各测量位置对应的所述温度参数，将温度异常的所述温度参数对应的所述测量位置确定为受损位置；

确定每个所述受损位置的受损程度。

优选的，所述将温度异常的所述温度参数对应的所述测量位置确定为受损位置之后，还包括：

根据各所述局部红外图像构建三维坐标系，计算所述受损位置在所述三维坐标系中的三维坐标；

基于所述三维坐标对所述局部红外图像进行受损位置标记，生成并得到受损标记图像。

优选的，所述生成并得到受损标记图像之后，还包括：

获取所述受损位置的弯曲半径数值以及所述温度参数，基于所述弯曲半径数值、温度参数、受损标记图像生成打包文件；

得到所有所述打包文件后，将各所述打包文件发送至预设终端。

优选的，所述比对相同弯曲半径处的各测量位置对应的所述温度参数，将温度异常的所述温度参数对应的所述测量位置确定为受损位置，包括：

获取各弯曲半径处的弯曲角度，基于电阻与弯曲角度的对应变化关系计算各所述弯曲半径处的理论电阻变化以及所述理论电阻变化对应的理论温度变化；

在相同弯曲半径下，计算各所述温度参数与所述理论温度变化的第一差值，将超过第一阈值的所述第一差值对应的温度参数确认为温度变化异常；

将温度变化异常的所述温度参数对应的测量位置确定为受损位置。