[发明专利]半导体结构形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构形成方法，其特征在于，包括步骤：

S1.在透明衬底（500）的上表面形成第一负光刻胶层（100）；

S2.在透明衬底（500）的下表面一侧，利用第一掩模版（210）对第一负光刻胶层（100）进行曝光，从而在第一负光刻胶层（100）的曝光区域形成正梯形结构（110），其中，所述正梯形结构（110）的下底位于透明衬底（500）的上表面；

S3.在所述第一负光刻胶层（100）上方形成第二负光刻胶层（300）；

S4.在透明衬底（500）的上表面一侧，利用第二掩模版（220）对第二负光刻胶层（300）进行曝光，从而在第二负光刻胶层（300）的曝光区域形成倒梯形结构（310），其中，所述倒梯形结构（310）的上底与正梯形结构（110）的上底对齐连接；

S5.对第一负光刻胶层（100）和第二负光刻胶层（300）进行显影，从而在透明衬底（500）上形成多个由正梯形结构（110）和倒梯形结构（310）堆叠而成的光阻隔离柱；

S6.在光阻隔离柱顶面形成保护层（400），沿倒梯形结构（310）的一侧的腰的倾斜方向对正梯形结构（110）同侧的腰进行等离子体处理；沿倒梯形结构（310）的另一侧的腰的倾斜方向对正梯形结构（110）同侧的腰进行等离子体处理，所述保护层（400）用于防止光阻隔离柱的顶面被等离子体刻蚀；所述光阻隔离柱的两侧经过刻蚀后，形成上方宽，下方窄的光阻隔离柱；

S7.自上而下，对透明衬底（500）的上表面一侧进行电子束蒸镀金属；

S8.剥离光阻隔离柱。

2.根据权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述步骤S5具体为：

利用显影液对第一负光刻胶层（100）和第二负光刻胶层（300）进行显影，向相邻的光阻隔离柱之间添加显影液，且至少更换一次相邻的光阻隔离柱之间的显影液，从而在透明衬底（500）上形成多个由正梯形结构（110）和倒梯形结构（310）层叠而成的光阻隔离柱。

3.根据权利要求2所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述步骤S5中，所述至少更换一次相邻的光阻隔离柱之间的显影液的步骤中，前后相邻两次添加显影液的操作中，后一次添加后的相邻的光阻隔离柱之间的显影液的液面低于前一次添加后的相邻的光阻隔离柱之间显影液的液面。

4.根据权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述步骤S6中，所述在光阻隔离柱顶面形成保护层（400）的步骤具体包括：

S61.自上而下，向透明衬底（500）的上表面一侧沉积保护材料，从而在透明衬底（500）上表面以及光阻隔离柱的顶面形成保护层（400）；

S62.利用湿法刻蚀工艺，对透明衬底（500）的上表面的保护层（400）进行湿法刻蚀去除，暴露出衬底上表面。

5.根据权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述保护层（400）的材料为氧化硅。

6.根据权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述步骤S2和步骤S4中曝光所使用的光源的能量分布情况为：自曝光区域的中间向曝光区域的两侧方向，光源能量逐渐降低。

7.根据权利要求6所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述正梯形结构（110）和倒梯形结构（310）的腰与下底之间夹角均在50°-70°之间。

8.根据权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述第一掩模版（210）和第二掩模版（220）的结构相同。

9.根据权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述步骤S1和步骤S3中，通过旋涂和烘烤操作形成第一负光刻胶层（100）和第二负光刻胶层（300）。

10.根据权利要求9所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述第一负光刻胶层（100）和第二负光刻胶层（300）的厚度相同。