[发明专利]半导体结构形成方法

说明书

本发明提供了一种半导体结构形成方法，涉及半导体结构制备技术领域，包括：在透明衬底的上表面形成第一负光刻胶层；对第一负光刻胶层进行曝光，在第一负光刻胶层的曝光区域形成正梯形结构；在第一负光刻胶层上方形成第二负光刻胶层，对其进行曝光，在第二负光刻胶层的曝光区域形成倒梯形结构；对第一负光刻胶层和第二负光刻胶层进行显影，在透明衬底上形成多个由正梯形结构和倒梯形结构堆叠而成的光阻隔离柱；在光阻隔离柱顶面形成保护层，沿倒梯形结构的一侧的腰的倾斜方向对正梯形结构同侧的腰进行等离子体处理；沿倒梯形结构的另一侧的腰的倾斜方向对正梯形结构同侧的腰进行等离子体处理；对透明衬底的上表面一侧进行电子束蒸镀金属。

技术领域

本发明涉及半导体结构制备技术领域，尤其是涉及一种半导体结构形成方法。

背景技术

半导体结构制备过程中，为了在衬底上形成间隔的金属层，通常会在衬底上方制备多个间隔的光阻隔离柱，然后再向衬底上沉淀金属材料，将光阻隔离柱去除后便可以形成间隔的金属层了。

现有技术中，蒸镀金属材料后，光阻隔离柱侧壁容易与金属层连在一起，在去除光阻隔离柱时，与光阻隔离柱侧壁粘连的金属也一同被带走，使留下的金属层出现金属毛刺，既影响美观又影响产品良率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体结构形成方法，以缓解现有的半导体制备过程中其上的金属层侧边出现毛刺的技术问题。

本发明实施例提供的一种半导体结构形成方法，包括步骤：

S1.在透明衬底的上表面形成第一负光刻胶层；

S2.在透明衬底的下表面一侧，利用第一掩模版对第一负光刻胶层进行曝光，从而在第一负光刻胶层的曝光区域形成正梯形结构，其中，所述正梯形结构的下底位于透明衬底的上表面；

S3.在所述第一负光刻胶层上方形成第二负光刻胶层；

S4.在透明衬底的上表面一侧，利用第二掩模版对第二负光刻胶层进行曝光，从而在第二负光刻胶层的曝光区域形成倒梯形结构，其中，所述倒梯形结构的上底与正梯形结构的上底对齐连接；

S5.对第一负光刻胶层和第二负光刻胶层进行显影，从而在透明衬底上形成多个由正梯形结构和倒梯形结构堆叠而成的光阻隔离柱；

S6. 在光阻隔离柱顶面形成保护层，沿倒梯形结构的一侧的腰的倾斜方向对正梯形结构同侧的腰进行等离子体处理；沿倒梯形结构的另一侧的腰的倾斜方向对正梯形结构同侧的腰进行等离子体处理，所述保护层用于防止光阻隔离柱的顶面被等离子体刻蚀；

S7.自上而下，对透明衬底的上表面一侧进行电子束蒸镀金属；

S8.剥离光阻隔离柱。

进一步的，所述步骤S5具体为：

利用显影液对第一负光刻胶层和第二负光刻胶层进行显影，向相邻的光阻隔离柱之间添加显影液，且至少更换一次相邻的光阻隔离柱之间的显影液，从而在透明衬底上形成多个由正梯形结构和倒梯形结构层叠而成的光阻隔离柱。

进一步的，所述步骤S5中，所述至少更换一次相邻的光阻隔离柱之间的显影液的步骤中，前后相邻两次添加显影液的操作中，后一次添加后的相邻的光阻隔离柱之间的显影液的液面低于前一次添加后的相邻的光阻隔离柱之间显影液的液面。

进一步的，所述步骤S6中，所述在光阻隔离柱顶面形成保护层的步骤具体包括：

S61.自上而下，向透明衬底的上表面一侧沉积保护材料，从而在透明衬底上表面以及光阻隔离柱的顶面形成保护层；

S62.利用湿法刻蚀工艺，对透明衬底的上表面的保护层进行湿法刻蚀去除，暴露出衬底上表面。

进一步的，所述保护层的材料为氧化硅。