[发明专利]存储器电路及其操作方法在审

专利信息
申请号: 202110504049.0 申请日: 2021-05-10
公开(公告)号: CN113539316A 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 苏晋毅;邹宗成;池育德;林钲峻 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G11C8/12 分类号: G11C8/12;G11C7/06;G11C5/14;G11C11/40
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 存储器 电路 及其 操作方法
【说明书】:

提供了一种存储器电路,包括第一驱动器电路、耦合至第一驱动器电路的第一存储器单元列、第一电流源、被配置为跟踪第一存储器单元列的泄漏电流的跟踪电路,以及耦合至第一存储器单元列、第一电流源和跟踪电路的脚部电路。本发明的实施例还提供了一种操作存储器电路的方法。

技术领域

本发明的实施例涉及存储器电路及其操作方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)行业已生产多种多样的数字器件以解决不同领域中问题。这些数字器件中的某些数字器件(诸如存储器宏)被配置为用于数据存储。随着IC变得越来越小和越来越复杂,这些数字器件中导电线的电阻也发生了变化,从而影响了这些数字器件的操作电压和整体IC性能。

发明内容

根据本发明实施例的一个方面,提供了一种存储器电路,包括:第一驱动器电路;第一存储器单元列,耦合至第一驱动器电路;第一电流源;跟踪电路,被配置为跟踪第一存储器单元列的泄漏电流;以及脚部电路,耦合至第一存储器单元列、第一电流源和跟踪电路。

根据本发明实施例的另一个方面,提供了一种存储器电路,包括:第一驱动器电路;存储器单元阵列,包括耦合至第一驱动器电路的第一存储器单元列;第二驱动器电路;第一跟踪单元列,被配置为跟踪第一存储器单元列的泄漏电流,并且耦合在第一导电线与第二导电线之间,第一导电线耦合至第二驱动器电路;以及头部电路,耦合至第一驱动器电路和第二驱动器电路。

根据本发明实施例的又一个方面,提供了一种操作存储器电路的方法,方法包括:通过第一字线电压在耦合至第一驱动器电路的第一存储器单元列中选择第一存储器单元;通过第一驱动器电路的第一放大器电路产生第一电压;响应于第一电压产生第一电流,第一电流包括第一组泄漏电流和第一写电流;通过跟踪电路产生第二组泄漏电流,第二组泄漏电流被配置为跟踪第一存储器单元列的第一组泄漏电流;通过第一电流源产生第二写电流;以及通过第一电流镜,使第一路径中的第一电流与第二路径中的第二电流成镜像,第二电流包括第二组泄漏电流和第二写电流,第一写电流对应于第二写电流,并且第一组泄漏电流对应于第二组泄漏电流。

附图说明

当与附图一起阅读时,根据以下详细描述可最好地理解本发明的各方面。应注意,根据行业中的标准实践,各种部件未按比例绘制。实际上,为论述清楚,各种部件的尺寸可任意增加或减少。

图1是根据一些实施例的存储器电路的电路图。

图2是根据一些实施例的存储器电路的电路图。

图3A是根据一些实施例的存储器电路的电路图。

图3B是根据一些实施例的存储器电路的电路图。

图4A是根据一些实施例的存储器电路的电路图。

图4B是根据一些实施例的存储器电路的电路图。

图5是根据一些实施例的存储器电路的电路图。

图6A是根据一些实施例的存储器电路的电路图。

图6B、图6C和图6D是根据一些实施例的由存储器电路产生的对应波形。

图7是根据一些实施例的存储器电路的电路图。

图8A是根据一些实施例的存储器电路的电路图。

图8B是根据一些实施例的存储器电路的电路图。

图9A是根据一些实施例的存储器电路的电路图。

图9B是根据一些实施例的存储器电路的电路图。

图10A是根据一些实施例的RRAM器件的示意图。

图10B是根据一些实施例的可变电阻结构的示意图。

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