[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202110504613.9 | 申请日： | 2021-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN113707720B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 张旭凯;黄治融;董彦佃;朱家宏;梁顺鑫;沈泽民;林斌彦;王菘豊 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
衬底；
第一鳍结构和第二鳍结构，设置在所述衬底上；
第一栅极结构和第二栅极结构，分别设置在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构上；
第一源极/漏极(S/D)区域和第二源极/漏极区域，分别设置为与所述第一鳍结构和所述第二鳍结构上的所述第一栅极结构和所述第二栅极结构相邻；
第一接触结构和第二接触结构，分别设置在所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域上；
其中，所述第一接触结构包括设置在所述第一源极/漏极区域上的第一n型功函金属(nWFM)硅化物层和设置在所述第一n型功函金属硅化物层上的第一接触插塞，并且
其中，所述第二接触结构包括设置在所述第二源极/漏极区域上的p型功函金属(pWFM)硅化物层、设置在所述p型功函金属硅化物层上的第二n型功函金属硅化物层以及设置在所述p型功函金属硅化物层上的第二接触插塞；以及
偶极子层，设置在所述第一n型功函金属硅化物层和所述第一源极/漏极区域之间的界面处。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述偶极子层包括所述第一n型功函金属硅化物层的掺杂剂原子和所述第一源极/漏极区域的半导体原子。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一n型功函金属硅化物层包括过渡金属的掺杂剂，并且其中，所述掺杂剂的浓度轮廓在所述第一n型功函金属硅化物层和所述第一源极/漏极区域之间的界面处具有峰值浓度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一n型功函金属硅化物层包括金属掺杂剂，所述金属掺杂剂的电负性值小于所述第一n型功函金属硅化物层的金属硅化物中的金属的电负性值。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一n型功函金属硅化物层和所述第二n型功函金属硅化物层掺杂有过渡金属。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一n型功函金属硅化物层掺杂有过渡金属，并且所述第二n型功函金属硅化物层是未掺杂的。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一接触结构和所述第二接触结构还包括分别沿着所述第一接触插塞和所述第二接触插塞的侧壁的第一衬垫和第二衬垫，并且
其中，所述第一衬垫和所述第二衬垫包括所述偶极子层的金属或金属的氧化物。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一接触结构和所述第二接触结构还包括分别沿着所述第一接触插塞和所述第二接触插塞的侧壁的第一衬垫和第二衬垫，并且
其中，所述第一衬垫和所述第二衬垫包括所述第一n型功函金属硅化物层的金属或金属的氧化物。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一接触结构和所述第二接触结构还包括分别沿着所述第一接触插塞和所述第二接触插塞的侧壁的第一衬垫和第二衬垫，并且
其中，所述第一衬垫和所述第二衬垫包括所述p型功函金属硅化物层的金属或金属的氧化物。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一接触结构和所述第二接触结构还包括分别设置在所述第一n型功函金属硅化物层和所述第二n型功函金属硅化物层上的第一覆盖层和第二覆盖层。
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