[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

公开了具有不同配置的接触结构的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括设置在第一鳍结构和第二鳍结构上的第一栅极结构和第二栅极结构、设置在第一鳍结构和第二鳍结构上的第一源极/漏极(S/D)和第二S/D区域、设置在第一S/D区域和第二S/D区域上的第一接触结和第二接触结构以及设置在第一nWFM硅化物层与第一S/D区域之间的界面处的偶极子层。第一接触结构包括设置在第一S/D区域上的第一nWFM硅化物层和设置在第一nWFM硅化物层上的第一接触插塞。第二接触结构包括设置在第二S/D区域上的pWFM硅化物层、设置在pWFM硅化物层上的第二nWFM硅化物层以及设置在pWFM硅化物层上的第二接触插塞。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。

背景技术

随着半导体技术的进步，对更高的存储容量、更快的处理系统、更高的性能以及更低的成本的需求不断增长。为了满足这些需求，半导体工业继续按比例缩小半导体器件(诸如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，包括平面MOSFET和鳍式场效应晶体管(finFET))的尺寸。这种按比例缩小增大了半导体制造工艺的复杂性。

发明内容

本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底；第一鳍结构和第二鳍结构，设置在所述衬底上；第一栅极结构和第二栅极结构，分别设置在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构上；第一源极/漏极(S/D)区域和第二源极/漏极区域，分别设置为与所述第一鳍结构和所述第二鳍结构上的所述第一栅极结构和所述第二栅极结构相邻；第一接触结构和第二接触结构，分别设置在所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域上；其中，所述第一接触结构包括设置在所述第一源极/漏极区域上的第一n型功函金属(nWFM)硅化物层和设置在所述第一n型功函金属硅化物层上的第一接触插塞，并且其中，所述第二接触结构包括设置在所述第二源极/漏极区域上的p型功函金属(pWFM)硅化物层、设置在所述p型功函金属硅化物层上的第二n型功函金属硅化物层以及设置在所述p型功函金属硅化物层上的第二接触插塞；以及偶极子层，设置在所述第一n型功函金属硅化物层和所述第一源极/漏极区域之间的界面处。

本发明的另一实施例提供了一种半导体器件，包括：第一栅结构和第二栅结构，分别设置在第一鳍结构和第二鳍结构上；n型源极/漏极(S/D)区域和p型源极/漏极区域，分别设置在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构上；第一接触结构和第二接触结构，分别设置在所述n型源极/漏极区域和所述p型源极/漏极区域上；其中，所述第一接触结构包括设置在所述n型源极/漏极区域上的三元化合物层、设置在所述三元化合物层上的第一n型功函金属(nWFM)硅化物层以及设置在所述第一n型功函金属硅化物层上的第一接触插塞，并且其中，所述第二接触结构包括设置在所述p型源极/漏极区域上的p型功函金属(pWFM)硅化物层、设置在所述p型功函金属硅化物层上的第二n型功函金属硅化物层以及设置在所述p型功函金属硅化物层上的第二接触插塞；以及偶极子层，设置在所述三元化合物层和所述n型源极/漏极区域之间的界面处。

本发明的又一实施例提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成第一鳍结构和第二鳍结构；在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构上分别形成第一源极/漏极(S/D)区域和第二源极/漏极区域；在所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域上分别形成第一接触开口和第二接触开口；在所述第二源极/漏极区域上选择性地形成p型功函金属(pWFM)硅化物层；在所述p型功函金属硅化物层和所述第一源极/漏极区域上形成掺杂的n型功函金属(nWFM)硅化物层；在所述掺杂的n型功函金属硅化物层和所述第一源极/漏极区域之间形成三元化合物层；以及在所述第一接触开口和所述第二接触开口内形成第一接触插塞和第二接触插塞。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。

图1示出了根据一些实施例的半导体器件的等距视图。

图2A至图2D、图3A至图3D、图4A至图4D和图5A至图5D示出了根据一些实施例的具有不同接触结构的半导体器件的截面图。