[发明专利]套刻匹配方法及系统、套刻匹配设备、可读存储介质在审
申请号: | 202110504986.6 | 申请日: | 2021-05-10 |
公开(公告)号: | CN115327856A | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 李平贵;潘川 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 熊文杰 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 匹配 方法 系统 设备 可读 存储 介质 | ||
1.一种套刻匹配方法,其特征在于,包括:
提供测试晶圆,在第一机台中利用第一掩膜版对所述测试晶圆进行光刻形成第一图层;
在第二机台中利用第二掩膜版对所述测试晶圆进行光刻形成第二图层,所述第二掩膜版不同于所述第一掩膜版;
获取所述第一图层和所述第二图层之间的套刻补偿量;
根据所述套刻补偿量对所述第二掩膜版的原始掩膜尺寸信息进行修正,以实现所述第二机台与所述第一机台间的套刻匹配。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一图层形成有第一标记点,所述第二图层形成有第二标记点,所述第二标记点与所述第一标记点具有套刻坐标对应关系;
所述获取所述第一图层和所述第二图层之间的套刻补偿量,包括:
获取所述第一标记点的第一位置信息及对应的所述第二标记点的第二位置信息;
根据所述第一位置信息和所述第二位置信息获取所述第二标记点与对应的所述第一标记点之间的位置偏差量;
根据所述位置偏差量获得所述套刻补偿量。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第二图层在第一方向上形成有至少两个所述第二标记点,所述套刻补偿量包括所述第一方向上的第一补偿量;
所述获取所述第一图层和所述第二图层之间的套刻补偿量,还包括:
获取所述第一方向上每个所述第二标记点的所述第一位置信息及对应的所述第一标记点的所述第二位置信息;
根据所述第一方向上的所述第一位置信息和所述第二位置信息获取第一位置偏差量;
根据所述第一位置偏差量获得所述第一补偿量。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述第二图层在第二方向上形成有至少两个所述第二标记点,所述套刻补偿量还包括所述第二方向上的第二补偿量,所述第二方向与所述第一方向交叉;
所述获取所述第一图层和所述第二图层之间的套刻补偿量,还包括:
获取所述第二方向上每个所述第二标记点的所述第一位置信息及对应的所述第一标记点的所述第二位置信息;
根据所述第二方向上的所述第一位置信息和所述第二位置信息获取第二位置偏差量;
根据所述第二位置偏差量获得所述第二补偿量。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述第一方向上的多个所述第二标记点关于所述第二图层的中心点对称设置,所述第二方向上的多个所述第二标记点关于所述中心点对称设置。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
根据所述套刻补偿量及所述原始掩膜尺寸信息制备第三掩膜版,以使所述第三掩膜版实现所述第二机台与所述第一机台间的套刻匹配。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述根据所述套刻补偿量及所述原始掩膜尺寸信息制备第三掩膜版,以使所述第三掩膜版实现所述第二机台与所述第一机台间的套刻匹配,包括:
根据所述套刻补偿量及所述原始掩膜尺寸信息获得修正掩膜尺寸信息;
根据所述修正掩膜尺寸信息制备所述第三掩膜版。
8.一种套刻匹配系统,其特征在于,包括:
第一机台,用于利用第一掩膜版对测试晶圆进行光刻形成第一图层;
第二机台,用于利用第二掩膜版对所述测试晶圆进行光刻形成第二图层,所述第二掩膜版不同于所述第一掩膜版;
获取模块,用于获取所述第一图层和所述第二图层之间的套刻补偿量;
修正模块,用于根据所述套刻补偿量对所述第二掩膜版的原始掩膜尺寸信息进行修正,以实现所述第二机台与所述第一机台间的套刻匹配。
9.一种套刻匹配设备,其特征在于,所述设备包括存储器及处理器,所述存储器存储有计算机可读取程序,当所述计算机可读取程序被所述处理器读取时执行如权利要求1-7任一项所述的方法。
10.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质包括计算机程序,当所述计算机程序运行时能够执行如权利要求1-7任一项所述的方法。
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