[发明专利]套刻匹配方法及系统、套刻匹配设备、可读存储介质

说明书

本申请涉及套刻匹配方法及系统、套刻匹配设备、可读存储介质，通过在第一机台中利用第一掩膜版对测试晶圆进行光刻形成第一图层，在第二机台中利用第二掩膜版对测试晶圆进行光刻形成第二图层，并获取第一图层和第二图层之间的套刻补偿量，从而根据套刻补偿量对第二掩膜版的原始掩膜尺寸信息进行修正，可以简单快速的实现第二机台与第一机台间套刻匹配，且在套刻匹配过程中，步骤相对简单易操作，有利于缩短套刻匹配时间，没有额外增加成本。

技术领域

本申请涉及光刻技术领域，特别是涉及套刻匹配方法及系统、套刻匹配设备、可读存储介质。

背景技术

在半导体器件的生产过程中，基于特定的工艺或者生产成本等需求，通常需要在不同光刻机间进行作业。然而，不同机台使用的掩膜版材质不同，例如，SUSS系列光刻机采用的玻璃材质掩膜版，Nikon系列光刻机采用的石英材质掩膜版，而玻璃材质热膨胀系数大，在制版时容易受环境温度影响导致掩膜版膨胀，从而导致SUSS系列光刻机和Nikon系列光刻机之间存在套刻偏差。

因此，在不同机台间作业时，由于掩膜版材质不同，不同机台之间存在套刻偏差的问题。

发明内容

基于此，有必要提供一种套刻匹配方法及系统、套刻匹配设备、可读存储介质，以实现不同机台之间的套刻匹配。

为了实现本申请的目的，本申请采用如下技术方案：

一种套刻匹配方法，包括：

提供测试晶圆，在第一机台中利用第一掩膜版对所述测试晶圆进行光刻形成第一图层；

在第二机台中利用第二掩膜版对所述测试晶圆进行光刻形成第二图层，所述第二掩膜版不同于所述第一掩膜版；

获取所述第一图层和所述第二图层之间的套刻补偿量；

根据所述套刻补偿量对所述第二掩膜版的原始掩膜尺寸信息进行修正，以实现所述第二机台与所述第一机台间的套刻匹配。

在其中一些实施例中，所述第一图层形成有第一标记点，所述第二图层形成有第二标记点，所述第二标记点与所述第一标记点具有套刻坐标对应关系；

所述获取所述第一图层和所述第二图层之间的套刻补偿量，包括：

获取所述第一标记点的第一位置信息及对应的所述第二标记点的第二位置信息；

根据所述第一位置信息和所述第二位置信息获取所述第二标记点与对应的所述第一标记点之间的位置偏差量；

根据所述位置偏差量获得所述套刻补偿量。

在其中一些实施例中，所述第二图层在第一方向上形成有至少两个所述第二标记点，所述套刻补偿量包括所述第一方向上的第一补偿量；

所述获取所述第一图层和所述第二图层之间的套刻补偿量，还包括：

获取所述第一方向上每个所述第二标记点的所述第一位置信息及对应的所述第一标记点的所述第二位置信息；

根据所述第一方向上的所述第一位置信息和所述第二位置信息获取第一位置偏差量；

根据所述第一位置偏差量获得所述第一补偿量。

在其中一些实施例中，所述第二图层在第二方向上形成有至少两个所述第二标记点，所述套刻补偿量还包括所述第二方向上的第二补偿量，所述第二方向与所述第一方向交叉；

所述获取所述第一图层和所述第二图层之间的套刻补偿量，还包括：

获取所述第二方向上每个所述第二标记点的所述第一位置信息及对应的所述第一标记点的所述第二位置信息；

根据所述第二方向上的所述第一位置信息和所述第二位置信息获取第二位置偏差量；