[发明专利]一种大容量多引脚支架电容器及其制备方法

权利要求书

1.一种大容量多引脚支架电容器，其特征在于：包括两外侧框架、至少一个中部框架、高频框架、若干陶瓷芯片和高频芯片，中部框架包括若干依次间隔布置的第一支架和分别设置在两相邻的第一支架之间的多个缓冲机构，外侧框架包括若干依次间隔布置的第二支架和分别设置在两相邻的第二支架之间的多个缓冲机构，第一支架包括呈“匚”字型的第一引脚，第一支架内外侧面均焊接有陶瓷芯片，第一引脚上端与对应的陶瓷芯片接触以支撑陶瓷芯片，第二支架内侧面焊接有陶瓷芯片，陶瓷芯片的两端分别与相邻的两第一支架或者相邻的第一支架与第二支架焊接，高频框架与一外侧框架或者中部框架连接，高频芯片焊接在高频框架上。

2.根据权利要求1所述的一种大容量多引脚支架电容器，其特征在于：所述第一支架还包括竖直布置的第一芯片焊盘和分别设置在第一芯片焊盘下端两侧且水平向内延伸的两第一限位脚，所述第一引脚包括设置在第一芯片焊盘下端且向外延伸的第一横板、设置在第一横板外端的第一竖板和设置在第一竖板下端且向内延伸的第二横板。

3.根据权利要求2所述的一种大容量多引脚支架电容器，其特征在于：所述高频框架包括相对间隔布置的两第二芯片焊盘，一第二芯片焊盘与外侧框架或者中部框架连接，所述高频芯片焊接在两第二芯片焊盘之间。

4.根据权利要求2或3所述的一种大容量多引脚支架电容器，其特征在于：所述第二支架包括竖直布置的第三芯片焊盘、分别设置在第三芯片焊盘下端两侧且水平向内延伸的两第二限位脚、以及设置在第三芯片焊盘下端的第三引脚，第三引脚包括设置在第三芯片下端的第二竖板和设置在第二竖板下端且水平向内延伸的第三横板，两外侧框架的第三引脚相对布置，第三引脚下端与第一引脚下端处于同一平面。

5.根据权利要求3所述的一种大容量多引脚支架电容器，其特征在于：另一所述第二芯片焊盘下端设置有第二引脚，第二引脚下端与第一引脚下端处于同一平面。

6.根据权利要求1或2或3所述的一种大容量多引脚支架电容器，其特征在于：所述缓冲机构包括横截面为弧形的膨胀节。

7.根据权利要求4所述的一种大容量多引脚支架电容器，其特征在于：所述第一芯片焊盘和第三芯片焊盘上均开设有排气孔，排气孔可以为圆形、多边形或者十字形。

8.根据权利要求1或2或3所述的一种大容量多引脚支架电容器，其特征在于：所述两第一支架或者相邻的第一支架与第二支架之间焊接有层叠布置的两陶瓷芯片。

9.根据权利要求1或2或3所述的一种大容量多引脚支架电容器，其特征在于：所述第二芯片焊盘与外侧框架或者中部框架一体连接。

10.一种大容量多引脚支架电容器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

A、首先在一外侧框架内侧面点上锡膏；

B、再将若干陶瓷芯片依次排列，并使各陶瓷芯片的一端与外侧框架内侧面接触；

C、然后在一中部框架内外两侧面均点上锡膏；

D、使步骤B中各陶瓷芯片另一端与步骤C中中部框架内侧面接触，再将若干陶瓷芯片依次排列，并使各陶瓷芯片的一端与中部框架外侧面接触，中部框架的第一引脚与步骤A中所述的外侧框架的第三引脚相对布置；

E、继续参照步骤C和步骤D放置需要数量的中部框架和陶瓷芯片，各中部框架的第一引脚方向相同；

F、在另一外侧框架内侧面点上锡膏，并使其与陶瓷芯片接触，该外侧框架的第三引脚与第一引脚方向相同；

G、在高频框架内点上锡膏并将高频芯片放入高频框架内；

H、进入回流焊进行焊接。