[发明专利]一种大容量多引脚支架电容器及其制备方法在审
申请号: | 202110509534.7 | 申请日: | 2021-05-11 |
公开(公告)号: | CN113130206A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 朱江滨;吴文辉;吴明钊;吴育东 | 申请(专利权)人: | 福建火炬电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01G4/224 | 分类号: | H01G4/224;H01G4/236 |
代理公司: | 泉州君典专利代理事务所(普通合伙) 35239 | 代理人: | 宋艳梅 |
地址: | 362000 福建省泉州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 容量 引脚 支架 电容器 及其 制备 方法 | ||
本发明提供一种大容量多引脚支架电容器及其制备方法,电容器包括两外侧框架、至少一个中部框架、高频框架、若干陶瓷芯片和高频芯片,中部框架包括若干依次间隔布置的第一支架,外侧框架包括若干依次间隔布置的第二支架,第一支架包括呈“匚”字型的第一引脚,第一支架内外侧面均焊接有陶瓷芯片,第一引脚上端与对应的陶瓷芯片接触以支撑陶瓷芯片,第二支架内侧面焊接有陶瓷芯片,陶瓷芯片的两端分别与相邻的两第一支架或者相邻的第一支架与第二支架焊接,高频框架与一外侧框架或者中部框架连接,高频芯片焊接在高频框架上。本发明具有容量大、占用空间小、抗热变形以及对高次谐波抗性好的特点。
技术领域
本发明涉及一种大容量多引脚支架电容器及其制备方法。
背景技术
陶瓷电容器焊接过程中由于陶瓷材料的材料特性,在经过回流焊焊接后容易因为端头部位应力集中,和PCB板受热变形及热膨胀而造成瓷体开裂现象。为解决上述问题,现有技术方案为使用支架电容器替换传统芯片陶瓷电容器。但现有的支架电容器的引脚通常为刚性设计,当PCB受热变形时,所能起到的缓冲作用非常有限,且支架电容器通常是单个的,在需要大容量的场合,只能将多个单个的支架电容器焊接于PCB板上,但是支架电容器对于安装间距是有要求的,导致多个支架电容器无法密集布置,如此将会造成较大的空间浪费。
发明内容
本发明提出一种大容量多引脚支架电容器及其制备方法,电容器具有容量大、占用空间小、抗热变形以及对高次谐波抗性好的特点。
本发明通过以下技术方案实现:
一种大容量多引脚支架电容器,包括两外侧框架、至少一个中部框架、高频框架、若干陶瓷芯片和高频芯片,中部框架包括若干依次间隔布置的第一支架和分别设置在两相邻的第一支架之间的多个缓冲机构,外侧框架包括若干依次间隔布置的第二支架和分别设置在两相邻的第二支架之间的多个缓冲机构,第一支架包括呈“匚”字型的第一引脚,第一支架内外侧面均焊接有陶瓷芯片,第一引脚上端与对应的陶瓷芯片接触以支撑陶瓷芯片,第二支架内侧面焊接有陶瓷芯片,陶瓷芯片的两端分别与相邻的两第一支架或者相邻的第一支架与第二支架焊接,高频框架与一外侧框架或者中部框架连接,高频芯片焊接在高频框架上。
进一步的,所述第一支架还包括竖直布置的第一芯片焊盘和分别设置在第一芯片焊盘下端两侧且水平向内延伸的两第一限位脚,所述第一引脚包括设置在第一芯片焊盘下端且向外延伸的第一横板、设置在第一横板外端的第一竖板和设置在第一竖板下端且向内延伸的第二横板。
进一步的,所述高频框架包括相对间隔布置的两第二芯片焊盘,一第二芯片焊盘与外侧框架或者中部框架连接,所述高频芯片焊接在两第二芯片焊盘之间。
进一步的,所述第二支架包括竖直布置的第三芯片焊盘、分别设置在第三芯片焊盘下端两侧且水平向内延伸的两第二限位脚、以及设置在第三芯片焊盘下端的第三引脚,第三引脚包括设置在第三芯片下端的第二竖板和设置在第二竖板下端且水平向内延伸的第三横板,两外侧框架的第三引脚相对布置,第三引脚下端与第一引脚下端处于同一平面。
进一步的,另一所述第二芯片焊盘下端设置有第二引脚,第二引脚下端与第一引脚下端处于同一平面。
进一步的,所述缓冲机构包括横截面为弧形的膨胀节。
进一步的,所述第一芯片焊盘和第三芯片焊盘上均开设有排气孔,排气孔可以为圆形、多边形或者十字形。
进一步的,所述两第一支架或者相邻的第一支架与第二支架之间焊接有层叠布置的两陶瓷芯片。
进一步的,所述第二芯片焊盘与外侧框架或者中部框架一体连接。
本发明还通过以下技术方案实现:
一种大容量多引脚支架电容器的制备方法,包括如下步骤:
A、首先在一外侧框架内侧面点上锡膏;
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