[发明专利]转移工具及转移方法有效
申请号: | 202110509739.5 | 申请日: | 2021-05-11 |
公开(公告)号: | CN113241315B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 萧博唐 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/683;H01L33/48;H01L25/075;H01L27/15 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 傅磊;黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 转移 工具 方法 | ||
1.一种转移工具,包括:
一基板;
一主动加热元件阵列,包括多个加热单元,该些加热单元以阵列形式排列于该基板上,且每一加热单元包括一驱动电路以及连接该驱动电路的一加热件;以及
一拾取件,配置于该主动加热元件阵列上,且包括一拾取面、一薄膜以及一隔墙层,其中该薄膜构成该拾取面,该隔墙层配置于该基板上且具有多个孔穴,该薄膜密封该些孔穴以形成多个封闭腔体,
其中该拾取面响应于至少一该加热件的操作而具备一固有拾取力以及小于该固有拾取力的一调制拾取力。
2.如权利要求1所述的转移工具,其中每一孔穴在该基板的法线方向上的深度小于该隔墙层在该基板的法线方向上的厚度。
3.如权利要求1所述的转移工具,其中每一孔穴在该基板的法线方向上的高度大于其在垂直该基板的法线的一方向上的宽度。
4.如权利要求1所述的转移工具,其中该隔墙层具有多个隔墙,该些隔墙定义该些孔穴,且每一隔墙在垂直该基板的法线的一方向上的厚度,大于每一孔穴在该方向上的宽度。
5.如权利要求1所述的转移工具,其中该薄膜包括至少一凸块,且该至少一凸块的一表面构成该拾取面。
6.如权利要求1所述的转移工具,其中该薄膜为一热形变薄膜。
7.如权利要求1所述的转移工具,其中该薄膜的材质包括聚二甲基硅氧烷。
8.如权利要求1所述的转移工具,其中该拾取件还包括配置于该基板上的一热传导层,该热传导层具有多个孔穴,每一孔穴在该基板的法线方向上的深度小于该热传导层在该基板的法线方向上的厚度。
9.如权利要求1所述的转移工具,其中该拾取件包括一热变质层,且该热变质层构成该拾取面。
10.如权利要求1所述的转移工具,其中该驱动电路包括一第一主动元件、一第二主动元件以及一电容,且该第一主动元件连接在该第二主动元件以及该加热件之间。
11.如权利要求10所述的转移工具,其中该加热件与该第一主动元件同层设置。
12.如权利要求1所述的转移工具,其中该加热件为一加热丝,该加热丝蜿蜒地设置于平行于该基板的一平面上,且该加热丝在该平面的不同位置处的粗细及分布密度不同。
13.如权利要求1所述的转移工具,还包括一绝缘层,设置于该驱动电路以及该加热件之间。
14.如权利要求1所述的转移工具,还包括一保护层,设置于该主动加热元件阵列以及该拾取件之间。
15.一种转移方法,包括:
提供一转移工具,该转移工具包括:
一基板;
一主动加热元件阵列,包括多个加热单元,该些加热单元以阵列形式排列于该基板上,且每一加热单元包括一驱动电路以及连接该驱动电路的一加热件;以及
一拾取件,配置于该主动加热元件阵列上,且包括一拾取面、一薄膜以及一隔墙层,其中该薄膜构成该拾取面,该隔墙层配置于该基板上且具有多个孔穴,该薄膜密封该些孔穴以形成多个封闭腔体,该拾取面具有一固有拾取力;以及
使用至少一个加热单元的该驱动电路致能该至少一个加热单元的该加热件,使得该拾取面的至少一部分具有的该固有拾取力调制成小于该固有拾取力的一调制拾取力。
16.如权利要求15所述的转移方法,还包括:
使该拾取面的该至少一部分以该固有拾取力自一第一基板拾起至少一工件;以及
使该拾取面的该至少一部分以该调制拾取力将该至少一工件释放于一第二基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110509739.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造