[发明专利]一种新型自举驱动电路结构

说明书

本发明涉及集成电路技术领域，具体公开了一种新型自举驱动电路结构，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、电容、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管、三极管、电流源、第一逻辑非门电路、第二逻辑非门电路以及第三逻辑非门电路。本发明提供的新型自举驱动电路结构，无需OSC、基准电路以及大量逻辑电路即可实现电荷泵的自举驱动电路，极少器件即可抬升上管任意驱动电压范围。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，更具体地，涉及一种新型自举驱动电路结构。

背景技术

随着便携式电子设备及小型化电子设备的需求越来越多，许多开关电压和半桥驱动芯片输出电压要求原来越高，为了获取更高的驱动能力，降低芯片成本，现在都采用双N管进行驱动，如此则需要芯片内部产生一个比功率电源更高的电压以驱动上管导通。以往均采用OSC驱动电荷泵实现电压抬升，需要模块多，浪费面积大。

发明内容

为了解决现有技术中存在的不足，本发明提供了一种新型自举驱动电路结构，可以克服现有技术中存在的采用OSC驱动电荷泵实现电压抬升，需要模块多，浪费面积大的问题。

作为本发明的第一个方面，提供一种新型自举驱动电路结构，包括第一 PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五 PMOS管P5、第六PMOS管P6、第七PMOS管P7、第八PMOS管P8、第九 PMOS管P9、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第六NMOS管N6、第七NMOS管N7、第八NMOS管N8、第九NMOS管N9、第十NMOS管N10、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、电容C1、第一二极管DZ1、第二二极管DZ2、第三二极管DZ3、第四二极管DZ4、第五二极管DZ5、三极管Q1、电流源IDC、第一逻辑非门电路INV1、第二逻辑非门电路INV2以及第三逻辑非门电路INV3，其中，