[发明专利]一种片式导电聚合物电容器封装方法及电容器

权利要求书

1.一种片式导电聚合物电容器，其特征在于，包括片式导电聚合物电容器元件、基片、封装材料层；

所述片式导电聚合物电容器元件设于所述基片上，包括阳极钽芯、阳极端子及阳极基电极，电介质层，阴极层及阴极基电极；

所述阳极钽芯和所述阴极层之间通过所述电介质层相互隔离；

所述阳极基电极包括两个部分，分别对应设于所述基片一端的正反两面，以电镀层和/或过孔相互连接；所述阴极基电极包括两个部分，分别对应设于所述基片另一端的正反两面，以电镀层和/或过孔相互连接；

所述阳极端子的横截面为矩形或圆角矩形，所述阳极端子自所述阳极钽芯的底部引出，且引出后所述阳极端子的下底面跟设于所述基片正面的所述阳极基电极的上表面处于同一高度，所述阳极端子与设于所述基片正面的所述阳极基电极以粘接、焊接或电镀方式连接，并作为阳极引出；

所述阴极层与设于所述基片正面的所述阴极基电极连接，所述基片正面的所述阴极基电极通过导电银胶层与所述基片连接，所述基片反面的所述阴极基电极作为阴极引出。

2.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述基片上对应于设置所述片式导电聚合物电容器元件的部位设有凹槽结构。

3.如权利要求2所述的电容器，其特征在于，所述凹槽结构的深度为5μm～100μm。

4.如权利要求2所述的电容器，其特征在于，所述凹槽结构的槽口尺寸小于槽底的尺寸。

5.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述阳极端子的长度为10μm～100μm，所述基片的总厚度为5μm～1000μm。

6.如权利要求1～5任一项所述的电容器，其特征在于，所述电镀层的纵截面呈L型，L型的竖向部分和横向部分分别位于所述电容器的一个端面上和与该端面相邻的底面上；所述阴极基电极的纵截面呈L型，L型的竖向部分和横向部分分别位于所述电容器的另一个端面上和与该端面相邻的底面上。

7.一种片式导电聚合物电容器的封装方法，用于加工如权利要求1-6任一项所述的电容器，其特征在于，包括如下步骤：

基片预处理：在基片上设置第一切割面标记和第二切割面标记；

阵列化布置电容器元件：将多个所述电容器元件阵列化布置于所述基片上，所述电容器元件包括阳极钽芯、阳极端子及阳极基电极，电介质层，阴极层及阴极基电极，所述阳极钽芯和所述阴极层之间通过所述电介质层相互隔离；所述阳极基电极包括两个部分，分别对应设于所述基片一端的正反两面，以电镀层或过孔相互连接；所述阴极基电极包括两个部分，分别对应设于所述基片另一端的正反两面，以电镀层或过孔相互连接；所述阳极端子的横截面为矩形或圆角矩形；

阵列模块封装：可为真空封装或者喷涂封装；

端面切割：分别沿所述第一切割面标记和第二切割面标记进行切割，以形成阳极切割端面和阴极切割端面，所述阳极切割端面为矩形或圆角矩形；

电极处理：所述阳极端子自所述阳极钽芯的底部引出，且引出后所述阳极端子的下底面跟设于所述基片正面的所述阳极基电极的上表面处于同一高度，所述阳极端子与设于所述基片正面的所述阳极基电极以粘接、焊接或电镀方式连接，并作为阳极引出；所述阴极层与设于所述基片正面的所述阴极基电极连接，所述基片正面的所述阴极基电极通过导电银胶层与所述基片连接；

分离切割：切割得到单个颗粒的片式导电聚合物电容器。

8.如权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述电极处理步骤中，对所述阳极切割面进行粘接、焊接或电镀之前还进行等离子清洗和金属沉积处理，或者进行粘接、焊接或电镀之前还进行等离子清洗和真空镀膜处理，或者进行粘接、焊接或电镀之前还进行等离子清洗、真空溅射沉积金属处理。

9.如权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述基片预处理步骤中，还包括在所述基片上开设至少一个加强粘接的凹槽结构。