[发明专利]集成电路结构以及生成集成电路布局图的系统和方法

说明书

本发明的实施例提供了集成电路结构以及生成集成电路布局图的系统和方法。生成IC布局图的方法包括沿边界使第一行单元与第二行单元邻接，第一行包括第一和第二有源片，第二行包括第三和第四有源片，有源片沿行方向并具有宽度值。有源片与第一至第四背侧通孔区域重叠，第一有源片宽度值大于第三有源片宽度值，第一背侧通孔区域宽度值大于第三背侧通孔区域宽度值，并且从第一有源片到边界的距离的值小于类金属定义区域的最小间隔规则。由处理器执行使第一行与第二行邻接或使有源片与背侧通孔区域重叠中的至少一个。

技术领域

本发明的实施例涉及集成电路结构以及生成集成电路布局图的系统和方法。

背景技术

集成电路(IC)小型化的持续趋势已导致器件逐渐小型化，其消耗较少的电源，但与早期技术相比，以更高的速度提供了更多功能。通过与越来越严格的规格联系在一起的设计和制造创新，可以实现这种小型化。多个电子设计自动化(EDA)工具用于生成、修改和验证半导体器件的设计，同时确保满足IC结构设计和制造规范。

发明内容

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种生成集成电路(IC)布局图的方法，方法包括：沿边界使第一行单元与第二行单元邻接，所述第一行单元包括沿行方向延伸的第一有源片和第二有源片，所述第二行单元包括沿行方向延伸的第三有源片和第四有源片；以及将所述有源片至所述第四有源片中的每个与对应的第一至第四背侧通孔区域重叠，其中，所述第一有源片至所述第四有源片和所述第一背侧通孔区域至所述第四背侧通孔区域中的每个在垂直于行方向的宽度方向上具有宽度，该宽度具有宽度值，所述第一有源片的宽度值大于所述第三有源片的宽度值，所述第一背侧通孔区域的宽度值大于所述第三背侧通孔区域的宽度值，从所述第一有源片到边界的距离的值小于与IC布局图相对应的制造过程的类金属定义区域的最小间隔规则，以及由处理器执行使所述第一行单元与所述第二行单元邻接或使所述第一有源片至所述第四有源片与所述第一背侧通孔区域至所述第四背侧通孔区域重叠的至少一个。

根据本发明实施例的另一个方面，提供了一种集成电路布局生成系统，包括：处理器；和非暂时性计算机可读存储介质，包括用于一个或多个程序的计算机程序代码，所述非暂时性计算机可读存储介质和计算机程序代码被配置为与处理器一起使系统：将第一行单元和第二行单元之间的边界沿第一金属轨道对准，其中所述第一行单元包括平行于所述第一金属轨道延伸并沿垂直于所述第一金属轨道的单元高度方向具有相应的第一片宽度和第二片宽度的第一有源片和第二有源片，第二行单元包括平行于所述第一金属轨道延伸并沿所述单元高度方向具有相应的第三片宽度和第四片宽度的第三有源片和第四有源片，从所述第二有源片到所述第一金属迹线的距离的值小于用于与IC布局相对应的制造过程的类金属限定区域的最小间隔规则，以及所述第一片宽度或所述第二片宽度中的至少一个具有大于所述第三片宽度或所述第四片宽度中的一个的值；所述第一有源片至所述第四有源片与相应的第一背侧通孔区域至第四背侧通孔区域重叠，所述第一背侧通孔区域至所述第四背侧通孔区域沿所述单元高度方向的宽度与相应的所述第一片宽度至所述第四片宽度成比例；以及根据所述第一行单元和所述第二行单元生成IC布局文件。

根据本发明实施例的又一个方面，提供了一种集成电路(IC)结构，包括：第一纳米片结构至第四纳米片结构，在第一方向上延伸，并沿垂直于所述第一方向的第二方向具有相应的第一宽度至第四宽度；以及第一通孔结构至第四通孔结构，电连接到相应的所述第一四纳米片结构至所述第四纳米片结构，其中所述第二宽度的值大于所述第三宽度的值，所述第二通孔结构沿所述第二方向的宽度的值大于所述第三通孔结构沿所述第二方向的宽度的值，所述第二纳米片和所述第三纳米片位于所述第一纳米片和所述第四纳米片之间，所述第二通孔结构和所述第三通孔结构被配置为将所述第二纳米片和所述第三纳米片电连接到背侧电源分布结构的第一部分，所述背侧电源分布结构被配置为承载电源电压或参考电压中的一个，以及所述第一通孔结构和所述第四通孔结构被配置为将所述第一纳米片和所述第四纳米片电连接到被配置为所述承载电源电压或所述参考电压中的另一个的所述背侧电源分布结构的第二部分。

附图说明