[发明专利]长晶炉

说明书

本发明的目的在于提出一种长晶炉，长晶炉包括坩埚，坩埚用于承载硅液，漏硅检测装置，漏硅检测装置设置在坩埚下方，漏硅检测装置包括：检测线，检测线为导电金属丝，检测线设置在坩埚正下方投影区域，并在坩埚的投影区域进行排布；检测单元，检测单元与检测线的入线端和出线端相连接，用于检测检测线的电性能参数值。通过在坩埚正下方投影区域设置漏硅检测装置，当硅液从坩埚中漏出，会直接滴落在检测线上，检测单元感知到检测线的电性能参数的变化，及时反馈给长晶炉，从而使得漏硅被实时监控，进而避免危险的发生。

技术领域

本发明涉及晶体生长领域，尤其涉及一种长晶炉。

背景技术

单晶硅片的主要生长方式为直拉法，在单晶晶体的生长过程中，熔硅的温度会高达1400-1500℃，在硅料从熔料到等径收尾过程中，都可能发生漏硅事故，原因有多种，可能是坩埚析晶，鼓包或人为操作不当。

目前单晶炉未能实时监测漏硅，一般是根据漏硅后加热器打火反推测漏硅情况，有时炉底波纹管烧穿漏硅才被发现，这样对单晶炉的损坏巨大。

发明内容

为解决上述问题，本发明的目的在于提出一种长晶炉，该长晶炉能实时检测漏硅，使得危险能被及时处理，且检测结果精准，不会存在虚假报警，造成财产损失。

根据本发明的公开了一种长晶炉，长晶炉包括坩埚，坩埚用来承载硅液，漏硅检测装置，漏硅检测装置设置在坩埚下方，漏硅检测装置包括：检测线，检测线为导电金属丝，检测线设置在坩埚正下方投影区域，并在投影区域进行排布；检测单元，检测单元与检测线的入线端和出线端相连接，用于检测检测线的电性能参数值。

通过在坩埚正下方投影区域设置漏硅检测装置，当硅液从坩埚中漏出，会直接滴落在检测线上，检测单元感知到检测线的电性能参数的变化，及时反馈给长晶炉，从而使得漏硅被实时监控，进而避免危险的发生。

在一些实施例中，漏硅检测装置还包括：包覆材料层，包覆材料层为耐高温绝缘疏松材料，包覆材料层置于检测线的上表面和/或下表面。

在一些实施例中，包覆材料层为单层或多层。

在一些实施例中，包覆材料层的边缘区域高于包覆材料层的中心区域。

在一些实施例中，包覆材料边缘区域20-100mm的区域高于包覆材料层的中心区域。

在一些实施例中，检测线在排布过程中相邻线段之间距离为d，d值需在一定范围内。

在一些实施例中，检测线在排布过程中相邻线段之间的距离d值的范围为1-50mm。

在一些实施例中，检测线的排布方式为均匀排布，检测线相邻线段之间的距离d值恒定，且d值在一定的范围内。

在一些实施例中，长晶炉还包括控制系统，控制系统与漏硅检测装置中的检测单元相连，用于获取检测线的电性能参数值。

在一些实施例中，控制系统中还包括电性能阈值判断模块，用来判断检测线的电性能参数值是否超过阈值。

在一些实施例中，长晶炉还包括报警系统，报警系统与控制系统相连，在控制系统发出报警信号后，进行报警处理。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

图1是本发明长晶炉的一个实施例的示意图；

图2是本发明漏硅检测装置的一个实施例的正面示意图；

图3是本发明漏硅检测装置的一个实施例的背面的检测线排布示意图；

图4是本发明漏硅检测装置的另一个实施例的检测线排布示意图；