[发明专利]芯片封装结构及其制作方法和电子设备有效
申请号: | 202110525154.2 | 申请日: | 2021-05-14 |
公开(公告)号: | CN112992955B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 吴春悦;何正鸿 | 申请(专利权)人: | 甬矽电子(宁波)股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 严诚 |
地址: | 315400 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 封装 结构 及其 制作方法 电子设备 | ||
1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括:
基板,所述基板上设置有线路;
正装于所述基板的感光芯片,所述感光芯片背离所述基板的一面设置有感光区域;
覆盖所述感光芯片的透光件,所述透光件朝向所述感光芯片的一侧设置有重新布线层;
第一导电柱,所述第一导电柱连接所述重新布线层和所述感光芯片的管脚;
第二导电柱,所述第二导电柱连接所述重新布线层和所述基板的线路;
所述透光件与所述基板之间的间隙内,以及所述透光件与所述感光芯片之间的间隙内均填充有填充胶,以包裹所述第一导电柱和所述第二导电柱,所述填充胶避让所述感光芯片的感光区域。
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述透光件朝向所述感光芯片的一侧还设置有透光胶层,所述透光胶层覆盖所述感光区域。
3.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述填充胶不透明。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的芯片封装结构,其特征在于,所述透光件为玻璃。
5.一种芯片封装结构的制作方法,其特征在于,包括:
在透光件上设置重新布线层,在所述重新布线层上设置第一导电柱和第二导电柱;
在基板上正装感光芯片,使所述感光芯片的感光区域位于所述感光芯片背离所述基板的一面;
将设有所述重新布线层、所述第一导电柱和所述第二导电柱的所述透光件覆盖于所述感光芯片上,令所述第一导电柱、所述第二导电柱分别连接所述感光芯片的管脚和所述基板上的线路;
在所述透光件与所述基板之间的间隙内以及所述透光件与所述感光芯片之间的间隙内填充填充胶,以包裹所述第一导电柱和所述第二导电柱,并令所述填充胶避让所述感光芯片的感光区域。
6.根据权利要求5所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,所述在透光件上设置重新布线层,在所述重新布线层上设置第一导电柱和第二导电柱的步骤,包括:
在所述透光件上铺设透光材料,利用激光在所述透光材料上开设深至所述透光件的槽,并在槽底电镀金属材料形成所述重新布线层;
去除所述透光件上的一部分所述透光材料,剩下的所述透光材料形成用于覆盖所述感光芯片的感光区域的透光胶层;
在所述重新布线层上铺设光刻胶,在所述光刻胶上开槽,通过电镀工艺在槽内填充金属材料,去除所述光刻胶形成所述第一导电柱和所述第二导电柱。
7.根据权利要求6所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,所述在所述重新布线层上铺设光刻胶,在所述光刻胶上开槽,通过电镀工艺在槽内填充金属材料,去除所述光刻胶形成所述第一导电柱和所述第二导电柱的步骤,包括:
在所述重新布线层上铺设第一层光刻胶,在所述第一层光刻胶上开槽,通过电镀工艺在槽内填充所述第一导电柱的材料,去除所述第一层光刻胶形成所述第一导电柱;
在所述重新布线层上铺设第二层光刻胶,所述第二层光刻胶厚于所述第一层光刻胶,在所述第二层光刻胶上开槽,通过电镀工艺在槽内填充所述第二导电柱的材料,去除所述第二层光刻胶形成所述第二导电柱,所述第二导电柱高于所述第一导电柱。
8.根据权利要求7所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,填充所述第一导电柱的材料和所述第二导电柱的材料的步骤,均包括先电镀铜材料形成铜柱,再在所述铜柱顶部印刷锡膏;去除所述光刻胶后,通过回流使锡膏形成锡球;
将设有所述重新布线层、所述第一导电柱和所述第二导电柱的所述透光件覆盖于所述感光芯片上时,所述第一导电柱和所述第二导电柱通过各自的锡球分别焊接于所述感光芯片的管脚和所述基板上的线路。
9.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求1-4中任一项所述的芯片封装结构,或者包括权利要求5-8中任一项所述的芯片封装结构的制作方法制得的芯片封装结构。
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