[发明专利]MOS晶体管制造方法及MOS晶体管在审
| 申请号： | 202110526789.4 | 申请日： | 2021-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN113394159A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 涂火金;郑凯仁;张瑜;胡展源 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭立 |
| 地址： | 201315 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种MOS晶体管制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、提供硅衬底，在所述硅衬底的表面形成结构体，所述结构体的两侧形成有侧墙；
步骤二、通过干法在所述结构体间刻蚀形成凹槽。
步骤三、在所述凹槽中生长形成缓冲层，所述缓冲层紧贴所述凹槽壁；
步骤四、在所述缓冲层上生长形成第一主体层；
步骤五、在所述第一主体层上生长形成第二主体层。
2.如权利要求1所述的MOS晶体管制造方法，其特征在于：
所述结构体为栅极、源极或漏极中的任一结构。
3.如权利要求1所述的MOS晶体管制造方法，其特征在于：
所述缓冲层、第一主体层和第二主体层的材料为SiP。
4.如权利要求1所述的MOS晶体管制造方法，其特征在于：
所述步骤四中使用第一气体作为载气，所述步骤五中使用第二气体作为载气。
5.如权利要求4所述的MOS晶体管制造方法，其特征在于：
所述第一气体为氮气，所述第二气体为氢气。
6.如权利要求4所述的MOS晶体管制造方法，其特征在于：
所述第一气体为氢气，所述第二气体为氮气。
7.如权利要求4所述的MOS晶体管制造方法，其特征在于：
所述载气的气体流量在1slm至50slm之间，气体压力在1torr至100torr之间，工艺温度范围在500至800摄氏度之间。
8.一种MOS晶体管，其特征在于：
采用前述任一权利要求的制造方法制造。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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