[发明专利]半导体热处理设备及其调节装置和调节方法

权利要求书

1.一种半导体热处理设备的调节装置，所述半导体热处理设备包括工艺管和工艺门，其特征在于，所述调节装置包括：

基部；

定位台，设置于所述基部，所述定位台的形状与所述工艺管的管口的形状相匹配，所述定位台可通过所述管口伸入所述工艺管内，且所述定位台被配置为在其伸入所述管口时，所述工艺管与所述定位台同轴设置；

多个第一定位部，同心布设于所述基部，所述多个第一定位部对应的分布圆与所述定位台同轴设置，且所述多个第一定位部被配置为可与所述工艺门定位配合，以使所述工艺门与所述多个第一定位部对应的分布圆同轴设置。

2.根据权利要求1所述的调节装置，其特征在于，还包括第二定位部，设置于所述基部或所述定位台，所述第二定位部与所述定位台同轴设置；所述半导体热处理设备还包括晶舟，所述第二定位部被配置为可与所述晶舟背离所述工艺门的一端定位配合，以使所述晶舟与所述第二定位部同轴设置。

3.根据权利要求2所述的调节装置，其特征在于，所述第二定位部背向于所述定位台凸出设置，所述第二定位部可伸入所述晶舟背离所述工艺门的一端的通孔内，所述第二定位部的形状与所述通孔相匹配，以使所述第二定位部与所述晶舟定位配合。

4.根据权利要求3所述的调节装置，其特征在于，所述基部为环形结构件，所述定位台包括与所述基部内缘连接的第一侧板和与所述第一侧板连接的端板，所述第一侧板沿第一方向设置而使所述端板相对于所述基部呈台阶状设置；所述端板为环形结构件，所述第二定位部为连接于所述端板内缘的第二侧板，所述第二侧板沿第二方向设置，所述第二方向与所述第一方向相反。

5.根据权利要求2所述的调节装置，其特征在于，所述定位台与所述管口的配合间隙、所述第一定位部与所述工艺门的配合间隙以及所述第二定位部与所述晶舟的配合间隙均不大于0.1mm。

6.一种半导体热处理设备，其特征在于，包括：

机箱；

工艺管，安装于所述机箱；

晶舟，用于承载晶圆；

工艺门，用于承载晶舟，所述工艺门可移动地设置于所述机箱，以将所述晶舟送入或移出所述工艺管；

升降机构，安装于所述机箱，所述升降机构用于驱动所述工艺门移动；

其中，所述工艺门设置有同心分布的多个配合部，所述多个配合部对应的分布圆与所述工艺门同轴设置，且所述多个配合部与权利要求1至5中任一项所述的调节装置中的所述多个第一定位部一一对应，所述工艺门通过所述多个配合部与所述多个第一定位部定位配合。

7.根据权利要求6所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述配合部为配合孔，所述第一定位部为导向柱。

8.根据权利要求6所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述工艺门设置有第三定位部，所述晶舟朝向所述工艺门的一端设置有第二配合部，所述第三定位部可与所述第二配合部定位配合，以使所述晶舟与所述工艺门同轴设置。

9.一种半导体热处理设备的调节方法，其特征在于，应用于权利要求6至8中任一项所述的半导体热处理设备，所述调节方法包括：

将权利要求1至5中任一项所述的调节装置安装于工艺管的管口处，并使定位台伸入所述管口；

解除对所述工艺门相对于升降机构的水平移动自由度的约束，以使所述工艺门可相对于所述升降机构进行水平位置调整，而使第一定位部与配合部顺利定位配合；

通过所述升降机构驱动所述工艺门靠近所述管口，以使多个第一定位部与多个配合部一一定位配合，而使所述工艺门与所述工艺管同轴设置；

约束所述工艺门相对于所述升降机构的水平移动自由度。

10.根据权利要求9所述的调节方法，其特征在于，所述调节装置包括第二定位部，所述第二定位部设置于所述基部或所述定位台，所述第二定位部与所述定位台同轴设置，且所述第二定位部背向于所述定位台凸出设置，所述第二定位部可伸入所述晶舟背离所述工艺门的一端的通孔内，所述第二定位部的形状与所述通孔相匹配，以使所述第二定位部与所述晶舟定位配合，而使所述晶舟与所述第二定位部同轴设置；

所述调节方法还包括：

通过所述升降机构驱动所述工艺门远离所述管口，将所述晶舟安装于所述工艺门上；

解除对所述工艺门相对于所述升降机构的竖向翻转自由度的约束，以使所述工艺门可相对于所述升降机构进行竖向翻转，而使所述第二定位部顺利与晶舟定位配合；

通过所述升降机构驱动所述工艺门靠近所述管口，以使所述第二定位部伸入所述通孔、与所述晶舟定位配合，而使所述晶舟与所述工艺管同轴设置；

约束所述工艺门相对于所述升降机构的竖向翻转自由度。