[发明专利]一种永磁电机空载气隙磁场分析方法

权利要求书

1.一种永磁电机空载气隙磁场分析方法，包括下列步骤：

1)基于子域法得到单槽电机的气隙磁场分布，并将单槽电机模型的磁场解析解依据相位关系叠加，得到永磁电机总磁场的分布：

其中为单槽模型的空载气隙磁场解析表达式，下角标Ⅲ为气隙区域Ⅲ，上角标i为第i个槽对应的区域，N_s为电机槽数，θ为极坐标系下切向位置，θ_i为第i个槽所对应的角度。

2)对于电机无槽模型，在平面极坐标系下，径向磁场磁通密度为：

切向磁场磁通密度为：

其中B_rl为电机径向磁密，B_θl为电机切向磁密，n为气隙和永磁体区域磁场的谐波阶数，P_r为电机极对数，R_s为定子半径，R_r为转子内半径，R_m为永磁体表面半径，μ₀为真空磁导率，μ_r为相对磁导率，M_rn为由傅里叶形式表示的永磁体径向磁场强度的幅值，r是极坐标系下径向位置。

3)将叠加后的磁场与无槽模型磁场结合，得到永磁电机空载气隙磁场全局模型，求得电机径向磁场分布：

B_r＝B_sup-(N_s-1)B_rl；

其中，B_r为电机径向磁密，B_sup是单槽电机模型叠加后的总磁密，N_s为电机槽数，B_rl为无槽时电机径向磁密。