[发明专利]一种永磁电机空载气隙磁场分析方法在审

专利信息
申请号: 202110529123.4 申请日: 2021-05-14
公开(公告)号: CN113076665A 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 李斌;刘征;李桂丹 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: G06F30/20 分类号: G06F30/20
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 程毓英
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 永磁 电机 空载 磁场 分析 方法
【说明书】:

发明涉及一种永磁电机空载气隙磁场分析方法,包括下列步骤:基于子域法得到单槽电机的气隙磁场分布,并将单槽电机模型的磁场解析解依据相位关系叠加,得到永磁电机总磁场的分布;对于电机无槽模型,计算在平面极坐标系下,径向磁场磁通密度和切向磁场磁通密度;将叠加后的磁场与无槽模型磁场结合,得到永磁电机空载气隙磁场全局模型,求得电机径向磁场分布。

技术领域

本发明属于永磁电机气隙磁场领域,涉及到用于永磁电机空载气隙磁场分析的求解方法。

背景技术

永磁电机因为其结构简单、效率高、转矩密度大,而在生产生活各方面得到广泛应用。电机空载磁场的准确计算是预测反电动势、齿槽转矩、噪声振动的前提,也是进行永磁电机优化设计和性能分析工作的基础。计算永磁电机电磁场,主要应用的方法有有限元法、磁路法和解析法。有限元法适用于复杂结构电机,耗时长;磁路法简单有效,但精度不高;解析法物理概念清晰,但传统解析法忽略齿、槽效应,计算结果不准确。目前国内外学者采用子域法计算电机磁场,子域模型是包含所有槽在内的完整电机模型,谐波系数矩阵的维数正比于电机槽数,且谐波系数受各个槽内电流影响,方程求解过程相对复杂,随着电机极数和槽数的增加,计算时长也增加,不便于电机优化和设计。因此,在应用子域法的基础上,进行永磁电机磁场方程降阶研究,简化谐波系数求解过程,对磁场解析法以及电机优化设计具有重要意义。

发明内容

本发明的目的是提出一种永磁电机空载气隙磁场分析方法,结合单槽电机叠加后的磁场与无槽电机磁场,得到永磁电机气隙磁场,技术方案如下:

一种永磁电机空载气隙磁场分析方法,包括下列步骤:

1)基于子域法得到单槽电机的气隙磁场分布,并将单槽电机模型的磁场解析解依

据相位关系叠加,得到永磁电机总磁场的分布:

其中为单槽模型的空载气隙磁场解析表达式,下角标Ⅲ为气隙区域Ⅲ,上角标i为第i个槽对应的区域,Ns为电机槽数,θ为极坐标系下切向位置,θi为第i个槽所对应的角度。

2)对于电机无槽模型,在平面极坐标系下,径向磁场磁通密度为:

切向磁场磁通密度为:

其中Brl为电机径向磁密,Bθl为电机切向磁密,n为气隙和永磁体区域磁场的谐波阶数,Pr为电机极对数,Rs为定子半径,Rr为转子内半径,Rm为永磁体表面半径,μ0为真空磁导率,μr为相对磁导率,Mrn为由傅里叶形式表示的永磁体径向磁场强度的幅值,r是极坐标系下径向位置。

3)将叠加后的磁场与无槽模型磁场结合,得到永磁电机空载气隙磁场全局模型,

求得电机径向磁场分布:

Br=Bsup-(Ns-1)Brl

其中,Br为电机径向磁密,Bsup是单槽电机模型叠加后的总磁密,Ns为电机槽数,Brl为无槽时电机径向磁密。

本发明结合磁导函数和子域解析法,提出一种永磁电机空载气隙磁场分析方法:建立单槽电机的磁导模型,确定单槽磁导模型与电机气隙磁场的关系;基于子域法,分别得到单槽电机和无槽电机的气隙磁场分布,并将单槽电机的磁场分布按照相位关系叠加;最后将叠加后的磁场与无槽模型磁场结合,得到永磁电机空载气隙磁场全局模型。技术效果如下:

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