[发明专利]晶片处理系统、气体喷射系统和控制气体的温度的方法

权利要求书

1.一种晶片处理系统，其特征在于，包含：

一晶片处理室，在该晶片处理室中定义一处理区域，其中在该处理区域处理一晶片；

一晶片支撑件，在该晶片处理室中，并配置以在该处理区域中支撑该晶片；以及

一气体喷射系统，包含：

一气体喷射器，耦接至该晶片处理室，并配置以将一第一气体喷射至该处理区域，其中该第一气体被用于该晶片的处理；

一第一气体管，配置以将处于一第一温度的该第一气体引导至该气体喷射器；

一加热壳体，包围该气体喷射器；以及

一第二气体管，配置以将一加热的气体引导到该加热壳体，以将在该加热壳体处的一壳体温度从一第一壳体温度增加到一第二壳体温度，其中，由于在该加热壳体处的该第二壳体温度，该气体喷射器中该第一气体的一温度从该第一温度升高到一第二温度。

2.根据权利要求1所述的晶片处理系统，其特征在于，包含：

一发电机，耦接到该晶片处理室并配置以产生一射频功率以从该第一气体在该处理区域中建立一电浆，其中该电浆用于该晶片的该处理。

3.根据权利要求1所述的晶片处理系统，其特征在于：

该第一气体包含四氯化硅；以及

该第二温度至少为摄氏56度。

4.根据权利要求1所述的晶片处理系统，其特征在于：

该第一气体在该第一气体管中处于一第一压力；

该第一气体在该气体喷射器中处于一第二压力；

该第一气体在该第二压力和该第二温度下处于一气态；以及

该第一气体在该第一压力和该第一温度下处于一非气态。

5.一种气体喷射系统，其特征在于，包含：

一气体喷射器，耦接至一晶片处理室，并配置以将一第一气体喷射到由该晶片处理室定义的一处理区域中，其中，该第一气体在该处理区域中被用于一晶片的处理；

一第一气体管，配置以将处于一第一温度的该第一气体引导至该气体喷射器；

一加热壳体，包围该气体喷射器；以及

一第二气体管，配置以将加热的气体引导到该加热壳体，以将该加热壳体处的一壳体温度从一第一壳体温度增加到一第二壳体温度，其中，由于在该加热壳体处的该第二壳体温度，该气体喷射器中该第一气体的一温度从该第一温度升至一第二温度。

6.根据权利要求5所述的气体喷射系统，其特征在于，包含：

一加热装置，配置以加热一第二气体以产生该加热的气体。

7.根据权利要求5所述的气体喷射系统，其特征在于：

该加热壳体或该第二气体管中的至少一个包含非导电材料。

8.一种控制用于处理一晶片的一第一气体的一温度的方法，其特征在于，包含：

将处于一第一温度的该第一气体引导至与包含该晶片的一晶片处理室相连的一气体喷射器；

使用一加热装置加热一第二气体以产生一加热的气体；

将该加热的气体引导至包围该气体喷射器的一加热壳体，以将该气体喷射器中的该第一气体的一温度从该第一温度升高至一第二温度；以及

在将该第一气体的该温度升高到该第二温度之后，将该第一气体从该气体喷射器喷射到该晶片处理室中，其中该第一气体被用于该晶片的处理。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，包含：

从该第一气体在该晶片处理室中建立一电浆，其中该电浆被用于该晶片的该处理。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，引导该第一气体包含：

将一第一气体管中的该第一气体引导至该气体喷射器，其中：

该第一气体在该第一气体管中处于一第一压力；

该第一气体在该气体喷射器中处于一第二压力；

该第一气体在该第二压力和该第二温度下处于一气态；以及

该第一气体在该第一压力和该第一温度下处于一非气态。