[发明专利]晶片处理系统、气体喷射系统和控制气体的温度的方法

说明书

本公开提供了一种晶片处理系统、气体喷射系统和控制气体的温度的方法。晶片处理系统包括晶片处理室，此晶片处理室限定了在其中处理晶片的处理区域。晶片处理系统包括气体喷射系统。气体喷射系统包括气体喷射器，此气体喷射器配置以将用于处理晶片的第一气体喷射到处理区域中。第一气体管用于将处于第一温度的第一气体引导至气体喷射器。气体喷射系统包括包围气体喷射器的加热壳体。第二气体管配置以将加热的气体引导到加热壳体，以将加热壳体处的壳体温度增加到第二壳体温度。由于在加热壳体处的第二壳体温度，气体喷射器中的第一气体的温度从第一温度升高到第二温度。

技术领域

本公开是有关一种晶片处理系统、一种气体喷射系统及一种控制用于处理晶片的第一气体的温度的方法。

背景技术

半导体晶片被用于多种电子设备中，例如，手机、笔记型计算机、桌上型计算机、平板计算机、手表、游戏系统以及各种其他工业、商业和消费性电子产品。半导体晶片通常经过一种或多种处理以产生期望的特征。

发明内容

根据本公开的一些实施例，一种晶片处理系统包含晶片处理室、晶片支撑件、气体喷射系统。晶片处理室在晶片处理室中定义处理区域，其中在处理区域处理晶片；晶片支撑件在晶片处理室中，并配置以在处理区域中支撑晶片；气体喷射系统，包含：气体喷射器、第一气体管、加热壳体、第二气体管。气体喷射器耦接至晶片处理室，并配置以将第一气体喷射至处理区域，其中第一气体被用于晶片的处理；第一气体管配置以将处于第一温度的第一气体引导至气体喷射器；加热壳体包围气体喷射器；以及第二气体管配置以将加热的气体引导到加热壳体，以将在加热壳体处的壳体温度从第一壳体温度增加到第二壳体温度，其中，由于在加热壳体处的第二壳体温度，气体喷射器中的第一气体的一温度从第一温度升高到第二温度。

根据本揭露的一些实施例，一种气体喷射系统包含气体喷射器、第一气体管、加热壳体、第二气体管。气体喷射器耦接至晶片处理室，并配置以将第一气体喷射到由晶片处理室定义的处理区域中，其中，第一气体用于在处理区域中处理晶片；第一气体管配置以将处于第一温度的第一气体引导至气体喷射器；加热壳体包围气体喷射器；以及第二气体管配置以将加热的气体引导到加热壳体，以将加热壳体处的壳体温度从第一壳体温度增加到第二壳体温度，其中，由于在加热壳体处的第二壳体温度，气体喷射器中的第一气体的温度从第一温度升至第二温度。

根据本揭露的一些实施例，一种控制用于处理晶片的第一气体的温度的方法包含：将处于第一温度的第一气体引导至与包含晶片的晶片处理室相连的气体喷射器；使用加热装置加热第二气体以产生加热的气体；将加热的气体引导至包围气体喷射器的加热壳体，以将气体喷射器中的第一气体的温度从第一温度升高至第二温度；以及在将第一气体的温度升高到第二温度之后，将第一气体从气体喷射器喷射到晶片处理室中，其中第一气体被用于晶片的处理。

附图说明

当与附图一起阅读时，根据以下详细描述可以最好地理解本公开的各方面。应理解，根据行业中的标准实践，各种特征未按比例绘制。实际上，各种特征的尺寸可以任意地增加或为了讨论的清晰而减少。

图1绘示根据一些实施例的至少一些晶片处理系统的横截面图；

图2绘示根据一些实施例的至少一些晶片处理系统的立体图；

图3绘示根据一些实施例的至少一些晶片处理系统的示意图；

图4绘示根据一些实施例的至少一些晶片处理系统的示意图；

图5绘示根据一些实施例的控制用于处理晶片的第一气体的温度的方法的流程图；

图6绘示根据一些实施例的示例性计算机可读取媒体，其中可以包括配置为实现本公开阐述的一个或多个规定的处理器可执行指令。

【符号说明】

100：晶片处理系统

102：第二气体管