[发明专利]双精调线高温薄膜铂电阻及其调阻方法

权利要求书

1.一种双精调线高温薄膜铂电阻，其特征在于，包括：

背板；

短精调线；在所述背板上的一侧刻蚀所述短精调线；

长精调线；在所述短精调线的垂直对应侧刻蚀所述长精调线，所述长精调线和所述短精调线的长度范围由所确定的目标电阻确定。

2.根据权利要求1所述的双精调线高温薄膜铂电阻，其特征在于，还包括：

正导点；在所述背板上的一侧刻蚀所述正导点；

负导点；在所述正导点的垂直对应侧刻蚀所述负导点；

滤波区；在所述背板上的另一侧刻蚀所述滤波区；

第一电阻区；在所述滤波区的一侧刻蚀所述第一电阻区；

第二电阻区；在所述滤波区的另一侧刻蚀所述第二电阻区。

3.根据权利要求1所述的双精调线高温薄膜铂电阻，其特征在于，所述双精调线高温薄膜铂电阻的电阻电路都刻蚀在所述背板上。

4.根据权利要求1所述的双精调线高温薄膜铂电阻，其特征在于，所述正导点、所述负导电、所述短精调线、所述长精调线、所述滤波区、所述第一电阻区和所述第二电阻区之间分别刻蚀连接导线连接。

5.一种双精调线高温薄膜铂电阻的调阻方法，其特征在于，步骤包括：

S10步骤：对标椎电阻进行测试得到其室温阻值R₀，并记录下室温阻值R₀，进入S20步骤；

S20步骤：测量出室温温度，再计算出其温度系数，计算确定目标电阻值R₁＝R₀×K，进入S30步骤；

S30步骤；根据所述目标电阻值刻蚀高温薄膜铂电阻电路，并保留一长一短两条精调线，进入S40步骤；

S40步骤：测量刻蚀好后所述的高温薄膜铂电阻的电阻值，并将其与所述目标电阻值R₁对比，判断阻值是否接近所述目标电阻值，如小于，进入步骤S45；如大于，进入步骤S50；如等于，进入步骤S110；

步骤S45：报废；

步骤S50：确定所述电阻值与所述目标电阻值的差值，计算出所需切割长精调线的长度范围，调长精调线，进入步骤S60；

步骤S60：等待所述步骤S50的第一次精调时，激光切割产生的热量冷却至室温，进入步骤S70；

步骤S70：测量出冷却后的高温薄膜铂电阻的电阻值，并判断是否接近所述目标电阻值，如小于，进入步骤45；如等于，进入步骤S110；如大于，进入步骤S80；

步骤S80：确定所述电阻值与所述目标电阻值的差值，计算出所需切割短精调线的长度范围，调短精调线，进入步骤S90；

步骤S90；等待所述步骤S80中第二次精调时，激光切割产生的热量冷却至室温，进入步骤S100；

步骤S100；测量出冷却后的高温薄膜铂电阻的电阻值，并判断是否接近所述目标电阻值，小于，进入步骤45；等于，进入步骤S110；大于，进入步骤S80；

步骤S110；完成精调所述的高温薄膜铂电阻的电阻值。

6.根据权利要求5所述的双精调线高温薄膜铂电阻的调阻方法，其特征在于，由于所述步骤S50中第一次精调长精调线，激光热量产生变化阻值远远小于所调整值，则所述S80中对短精调线所需切割的距离就会变很短。

7.根据权利要求6所述的双精调线高温薄膜铂电阻的调阻方法，其特征在于，由于所述步骤S80中对短精调线的切割距离很短，则产生的热量变得很小，阻值变化也会极小，最终电阻更靠近所述目标电阻值，达到所述步骤S110。

8.根据权利要求7所述的双精调线高温薄膜铂电阻的调阻方法，其特征在于，所述步骤S80中对短精调线进行精调是为了弥补对所述步骤S50中对长精调线进行切割精调时，激光热量改变的电阻值。

9.根据权利要求5所述的双精调线高温薄膜铂电阻的调阻方法，其特征在于，在经过所述双精调线高温薄膜铂电阻的调阻方法的相关步骤后，所得的最终电阻值与所述目标电阻值之间允许存在合理误差。

10.根据权利要求9所述的双精调线高温薄膜铂电阻的调阻方法，其特征在于，所述的合理误差范围由刻蚀环境、刻蚀条件和所述双精调线高温薄膜铂电阻的工作环境视情况而定。