[发明专利]存储器设备

权利要求书

1.一种存储器设备，包括：

堆叠结构，包括字线和选择线；

垂直孔，垂直地穿透所述堆叠结构；以及

存储器层、沟道层和插塞，沿着所述垂直孔的内侧表面顺序地形成，

其中所述插塞包括具有固定的负电荷的材料层。

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述材料层包括Al₂O₃层。

3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述插塞包括：

第一绝缘层；

所述材料层，形成于所述第一绝缘层上；以及

封盖图案，形成于所述材料层上。

4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述第一绝缘层包括氧化物层，以及

所述封盖图案包括掺杂硅。

5.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述材料层形成于所述插塞中的与所述选择线相邻的位置处。

6.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述材料层的底表面位于所述选择线的底表面与顶表面之间。

7.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述材料层的顶表面位于比所述选择线的顶表面高的区域中。

8.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述插塞包括第一绝缘层、所述材料层和第二绝缘层，以及

其中所述材料层被设置于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间。

9.根据权利要求8所述的存储器设备，其中所述材料层的底表面位于所述选择线的底表面与顶表面之间。

10.根据权利要求8所述的存储器设备，其中所述材料层的顶表面位于比所述选择线的顶表面所处的高度高的高度处。

11.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述插塞包括第一绝缘层和所述材料层，以及

其中所述材料层的顶表面的位置等于所述插塞的顶表面的位置。

12.一种存储器设备，包括：

堆叠结构，包括字线和多个选择线；

垂直孔，垂直地穿透所述堆叠结构；以及

存储器层、沟道层和插塞，沿着所述垂直孔的内侧表面顺序地形成，

其中所述插塞包括具有固定的负电荷的材料层。

13.根据权利要求12所述的存储器设备，其中所述材料层包括Al₂O₃层。

14.根据权利要求12所述的存储器设备，其中所述插塞包括：

第一绝缘层；

所述材料层，形成于所述第一绝缘层上；以及

封盖图案，形成于所述材料层上。

15.根据权利要求14所述的存储器设备，其中所述材料层的底表面位于所述多个选择线中位于最下端处的选择线的底表面与所述多个选择线中位于最上端处的选择线的顶表面之间。

16.根据权利要求14所述的存储器设备，其中所述封盖图案包括掺杂硅。

17.根据权利要求12所述的存储器设备，其中所述插塞包括第一绝缘层、所述材料层和第二绝缘层，以及

其中所述材料层被设置于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间。

18.根据权利要求17所述的存储器设备，其中所述材料层的底表面位于所述多个选择线中位于最下端处的选择线的底表面与所述多个选择线中位于最上端处的选择线的顶表面之间。