[发明专利]存储器设备

说明书

本技术包括一种存储器设备。存储器设备包括：堆叠结构，该堆叠结构包括字线和选择线；垂直孔，该垂直孔垂直地穿透堆叠结构；以及存储器层、沟道层和插塞，存储器层、沟道层和插塞沿着垂直孔的内侧表面顺序地形成。插塞包括具有固定的负电荷的材料层。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年10月16日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2020-0134633的优先权，该申请的全部公开内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本公开总体上涉及一种存储器设备，且更具体地，涉及一种三维存储器设备。

背景技术

存储器设备可以存储数据或输出所存储的数据。例如，存储器设备可以被配置为在功率供应中断时丢失所存储的数据的易失性存储器设备，或可以被配置为即使在功率供应中断时仍保留所存储的数据的非易失性存储器设备。存储器设备可以包括：在其中存储有数据的存储器单元阵列；能够执行编程、读取或擦除操作的外围电路；以及能够控制外围电路的逻辑电路。

存储器单元阵列可以包括多个存储器块，该多个存储器块中的每个存储器块可以包括多个存储器单元。存储器单元可以在位线与源极线之间彼此串联连接以构成串。被包括在不同串中并且连接至相同字线的存储器单元可以构成页。可以以页为单位执行编程操作和读取操作，并且可以以块为单位执行擦除操作。

发明内容

根据本公开的方面，可以提供一种存储器设备，该存储器设备包括：堆叠结构，该堆叠结构包括字线和选择线；垂直孔，该垂直孔垂直地穿透堆叠结构；以及存储器层、沟道层和插塞，存储器层、沟道层和插塞沿着垂直孔的内侧表面顺序地形成，其中插塞包括具有固定的负电荷的材料层。

根据本公开的另一方面，可以提供一种存储器设备，该存储器设备包括：堆叠结构，该堆叠结构包括字线和多个选择线；垂直孔，该垂直孔垂直地穿透堆叠结构；以及存储器层、沟道层和插塞，存储器层、沟道层和插塞沿着垂直孔的内侧表面顺序地形成，其中插塞包括具有固定的负电荷的材料层。

附图说明

现在将在下文中参考附图描述实施例的示例；然而，这些示例可以以不同的形式体现，并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施例。

在附图中，为了清楚地图示，可以夸大尺寸。应理解，当将元件称为“在”两个元件“之间”时，该元件可以是两个元件之间的唯一元件，或也可以存在一个或多个中间元件。相似附图标记始终指相似元件。

图1是图示了根据本公开的实施例的存储器设备的示图。

图2是图示了图1中所示出的存储器单元阵列的示图。

图3是图示了根据本公开的实施例的第i存储器块的示图。

图4是图示了根据本公开的第一实施例的存储器设备的最终结构的视图。

图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13、图14以及图15是图示了根据本公开的第一实施例的存储器设备和存储器设备的制造方法的视图。

图16是图示了根据本公开的效果的视图。

图17是图示了根据本公开的第二实施例的存储器设备的视图。

图18是图示了根据本公开的第三实施例的存储器设备的视图。

图19是图示了根据本公开的第四实施例的存储器设备的视图。

图20是图示了根据本公开的第五实施例的存储器设备的视图。

图21是图示了根据本公开的第六实施例的存储器设备的视图。

图22是图示了向其应用本公开的存储器设备的存储器卡系统的示图。