[发明专利]一种功率半导体器件有效
| 申请号： | 202110533706.4 | 申请日： | 2021-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN113270500B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 乔明;袁柳;王钊;刘文良;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/10 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 | ||
1.一种功率半导体器件，其特征在于：包括P型衬底（10）、位于P型衬底（10）上方的N型阱区（4）、位于N型阱区（4）左侧表面的P型体区（3），第一N+接触区（1）和第一P+接触区（2）相邻并均位于P型体区（3）表面，另一处第一N+接触区（1）位于N型阱区（4）右侧表面，栅氧化层（16）位于P型体区（3）和N型阱区（4）上方，多晶硅栅（14）位于栅氧化层（16）上方，第一氧化层（13）位于N型阱区（4）表面，第一N+接触区（1）、第一P+接触区（2）通过源极金属（11）短接，漏极金属（12）与位于N型阱区（4）右侧表面的第一N+接触区（1）相连，第一型掺杂区（5）位于N型阱区（4）表面、栅氧化层（16）的下方，源极金属（11）与栅氧化层（16）直接相连。
2.一种功率半导体器件，其特征在于：包括P型衬底（10）、位于P型衬底（10）上方的N型阱区（4）、位于N型阱区（4）左侧表面的P型体区（3），第一N+接触区（1）和第一P+接触区（2）相邻并均位于P型体区（3）表面，另一处第一N+接触区（1）位于N型阱区（4）右侧表面，栅氧化层（16）位于P型体区（3）和N型阱区（4）上方，多晶硅栅（14）位于栅氧化层（16）上方，第一氧化层（13）位于N型阱区（4）表面，第一N+接触区（1）、第一P+接触区（2）通过源极金属（11）短接，漏极金属（12）与位于N型阱区（4）右侧表面的第一N+接触区（1）相连，第一型掺杂区（5）位于N型阱区（4）表面、栅氧化层（16）的下方，所述第一型掺杂区（5）为多次能量和剂量不同的离子注入形成；第一型掺杂区（5）的右侧注入P型阱区（7），并在P型阱区（7）内部注入第一P+接触区（2）；位于P型体区（3）内的第一N+接触区（1）和第一P+接触区（2），与位于P型阱区（7）内的第一P+接触区（2）通过源极金属（11）短接。
3.一种功率半导体器件，其特征在于：包括P型衬底（10）、位于P型衬底（10）上方的N型阱区（4）、位于N型阱区（4）左侧表面的P型体区（3），第一N+接触区（1）和第一P+接触区（2）相邻并均位于P型体区（3）表面，另一处第一N+接触区（1）位于N型阱区（4）右侧表面，栅氧化层（16）位于P型体区（3）和N型阱区（4）上方，多晶硅栅（14）位于栅氧化层（16）上方，第一氧化层（13）位于N型阱区（4）表面，第一N+接触区（1）、第一P+接触区（2）通过源极金属（11）短接，漏极金属（12）与位于N型阱区（4）右侧表面的第一N+接触区（1）相连，第一型掺杂区（5）位于N型阱区（4）表面、栅氧化层（16）的下方；多晶硅场板（15）位于P型体区（3）和第一氧化层13之间的栅氧化层（16）上方；多晶硅场板（15）通过源极金属（11），与第一N+接触区（1）和第一P+接触区（2）短接；第一型掺杂区（5）包括两次注入的分离的第一型掺杂区（5），分离的第一型掺杂区（5）中间注入第二型掺杂区（6）。
4.根据权利要求3所述的一种功率半导体器件，其特征在于：两次注入的第一型掺杂区（5）和第二型掺杂区（6）的上方，注入另一个第一型掺杂区（5）。
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