[发明专利]集成电路结构及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路结构，其特征在于，包含：

一晶体管，包含一源极/漏极磊晶结构；

一前侧内连接结构，在该晶体管的一前侧上；

一背侧介层窗，连接至该晶体管的该源极/漏极磊晶结构；以及

一背侧内连接结构，连接至该背侧介层窗，且该背侧内连接结构包括：

一导电特征，连接至该背侧介层窗；

一介电层，横向包围该导电特征；以及

一间隙壁结构，在该导电特征及该介电层之间，且该间隙壁结构具有一空气间隙。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该间隙壁结构包含一第一间隙壁，该第一间隙壁接触该介电层，且与该导电特征分开。

3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该间隙壁结构包含一第二间隙壁，且该空气间隙是在该第二间隙壁及该介电层之间。

4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，还包含：

一隔离结构，横向包围该背侧介层窗。

5.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该背侧内连接结构还包含：

一阻障层，介于该导电特征及该间隙壁结构之间。

6.一种集成电路结构，其特征在于，包含：

一晶体管，包含一源极/漏极磊晶结构；

一前侧内连接结构，电性连接至该晶体管的该源极/漏极磊晶结构的一前侧；及

一背侧介层窗，电性连接至该晶体管的该源极/漏极磊晶结构的一背侧；以及

一背侧内连接结构，包括：

一介电层；以及

一电源轨，嵌入该介电层并电性连接至该背侧介层窗，其中一空气间隙是介于该介电层及该电源轨之间。

7.根据权利要求6所述的集成电路结构，其特征在于，该背侧内连接接触还包含：

一间隙壁，接触该介电层，且该空气间隙是限定至少在该间隙壁旁边。

8.一种集成电路结构的制造方法，其特征在于，包含：

形成一晶体管，其中该晶体管包括一虚拟栓塞在一基材上；

移除该基材，以暴露该虚拟栓塞；

形成一隔离材料，以包围该虚拟栓塞；

以一背侧介层窗取代该虚拟栓塞；

形成一介电层在该背侧介层窗上；

形成一开口在该介电层内，以暴露该背侧介层窗；

形成一虚拟间隙壁在该介电层的该开口的一侧壁；

形成一导电特征在该开口内；以及

移除该虚拟间隙壁，以形成一空气间隙在该介电层及该导电特征之间。

9.根据权利要求8所述的集成电路结构的制造方法，其特征在于，还包含：

在形成该虚拟间隙壁之前，形成一第一间隙壁层在该开口内；以及

在形成该虚拟间隙壁之后，移除该第一间隙壁层的一部分，以形成一第一间隙壁在该虚拟间隙壁及该介电层之间。

10.根据权利要求8所述的集成电路结构的制造方法，其特征在于，还包含：

在形成该虚拟间隙壁之后，形成一第二间隙壁层在该开口内；以及

移除该第二间隙壁层的一部分，以形成一第二间隙壁在该虚拟间隙壁及该导电特征之间。