[发明专利]集成电路结构及其制造方法

说明书

一种集成电路结构及其制造方法，集成电路结构包含晶体管、前侧内连接结构、背侧介层窗及背侧内连接结构。晶体管包含源极/漏极磊晶结构。前侧内连接结构是在晶体管前侧上。背侧介层窗是连接至晶体管的源极/漏极磊晶结构。背侧内连接结构是连接至背侧介层窗，且背侧内连接结构包括导电特征、介电层及间隙壁结构。导电特征是连接至背侧介层窗。介电层是横向包围导电特征。间隙壁结构是在导电特征及介电层之间，且间隙壁结构具有空气间隙。

技术领域

本揭露是关于一种集成电路结构及其制造方法，特别是关于一种背侧内连接结构具有空气间隙的集成电路结构及其制造方法。

背景技术

半导体集成电路(Integrated Circuit，IC)产业已经历指数成长。IC材料及设计在科技进步下已产出IC世代，每一个世代相较于前一个世代，都具有更小且更复杂的电路。在IC进化的过程中，功能密度(例如：单位晶片面积之内连接的装置数)通常随着几何尺寸[换言之，利用制程所能制作的最小元件(或线)]的减少而增加。尺度缩小制程通常提供增加生产效率和减少相关成本的效益。

发明内容

本揭露的一态样是提供一种集成电路结构。集成电路结构包含晶体管、前侧内连接结构、背侧介层窗及背侧内连接结构。晶体管包含源极/漏极磊晶结构。前侧内连接结构是在晶体管前侧上。背侧介层窗是连接至晶体管的源极/漏极磊晶结构。背侧内连接结构是连接至背侧介层窗，且背侧内连接结构包括导电特征、介电层及间隙壁结构。导电特征是连接至背侧介层窗。介电层是横向包围导电特征。间隙壁结构是在导电特征及介电层之间，且间隙壁结构具有空气间隙。

本揭露的另一态样是提供一种集成电路结构。集成电路结构包含晶体管、前侧内连接结构、背侧介层窗及背侧内连接结构。晶体管包含源极/漏极磊晶结构。前侧内连接结构是电性连接至晶体管的源极/漏极磊晶结构的前侧。背侧介层窗是电性连接至晶体管的源极/漏极磊晶结构的背侧。背侧内连接结构包括介电层及电源轨。电源轨是嵌入介电层并电性连接至背侧介层窗。空气间隙是介于介电层及电源轨之间。

本揭露的再一态样是提供一种集成电路结构的制造方法。集成电路结构的制造方法包含形成包括虚拟栓塞在基材上的晶体管。移除基材，以暴露虚拟栓塞。形成隔离材料，以包围虚拟栓塞。虚拟栓塞是被背侧介层窗所取代。形成介电层在背侧介层窗上。形成开口在介电层内，以暴露背侧介层窗。形成虚拟间隙壁在介电层的开口的侧壁。形成导电特征在开口内。移除虚拟间隙壁，以形成空气间隙在介电层及导电特征之间。

附图说明

根据以下详细说明并配合附图阅读，使本揭露的态样获致较佳的理解。需注意的是，如同业界的标准作法，许多特征并不是按照比例绘示的。事实上，为了进行清楚讨论，许多特征的尺寸可以经过任意缩放。

图1至图23B是绘示根据一些实施例的集成电路结构的制造方法中的各阶段；

图24A至图24B是绘示根据一些实施例的集成电路结构分别延第一切线及第二切线所得的剖面视图；

图25A至图25B是绘示根据一些实施例的集成电路结构分别延第一切线及第二切线所得的剖面视图；

图26至图30B是绘示根据一些实施例的集成电路结构的制造方法中的各阶段；

图31A至图31B是绘示根据一些实施例的集成电路结构分别延第一切线及第二切线所得的剖面视图；

图32A至图32B是绘示根据一些实施例的集成电路结构分别延第一切线及第二切线所得的剖面视图。

【符号说明】

102:沟槽

110:基材

112:基底部分

112r:凹陷

120:堆叠结构